1.一种SAW温度传感器结构，其特征在于，包括：位于底层的衬底材料；位于衬底材料之上的传感器叉指电极；位于叉指电极同一层，在叉指电极周围的氧化区域；位于叉指电极及电极周围氧化区域之上的二氧化硅保护层。
2.根据权利要求1所述的传感器结构，其特征在于，所述衬底材料采用压电衬底，具体衬底材料可以包括石英压电晶体、铌酸锂压电晶体、钽酸锂压电晶体。
3.根据权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述电极材料采用铝、铜导电性较好的材料。
4.根据权利要求1所述的SAW温度传感器结构，其制作方法包括：
(1)所述压电衬底材料经清洗烘干后，在其之上生长一层Al电极层；
(2)采用微电子工艺经过涂胶、光刻、显影、氧化、去胶等步骤形成电极图形；
(3)所述电极图形经过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或溅射工艺，形成一层5-20纳米的SiO2层，作为电极的保护层；
(4)将基片切割成分立器件，然后用铝丝焊线机将分立器件键合至封装用基座上，进行封装测试，形成完整的传感器。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述衬底材料分别先后分别用丙酮、乙醇、去离子水清洗，氮气吹干，在80度高温环境下烘干衬底，烘干时间60秒。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述电极层厚度根据设计的声表面波波长而定，为波长的5％～10％，生长方法采用电子束蒸发。
7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤(2)中所述氧化过程采用等离子氧化方法，使器件表面没有光刻胶(图形区)的Al被氧化为Al2O3，有光刻胶的部分仍为Al。