技术总结
本申请提供了一种相变存储单元及其制作方法。其中，该相变存储单元包括第一介电材料层和位于第一介电材料层上的第二介电材料层，第一介电材料层中设置有第一电极和位于第一电极上的第二电极，第二介电材料层中设置有相变材料层和位于相变材料层上的第三电极，其中，第二电极的上表面低于第一介电材料层的上表面，在第一介电材料层中形成有以第二电极的上表面为底面的凹槽；相变材料层具有与凹槽的结构匹配的凸出部，凸出部与第二电极形成电连接。通过本申请提供的相变存储单元，读入电流的损耗得到减小，从而克服了现有技术中器件的操作电流过大、能耗过高的问题。
技术研发人员：李莹;宋志棠
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
文档号码：201510152654
技术研发日：2015.04.01
技术公布日：2016.11.23