1.一种锗材料，其特征在于，所述锗材料具有下组特征：
1)所述锗材料为颗粒状，且所述锗材料的颗粒尺寸为5-30μm；
2)所述锗材料为多孔结构，且所述锗材料的多孔结构由初级锗氧化合物颗粒形成的团聚体经热处理形成；和
3)所述锗材料中经热处理的初级锗氧化合物颗粒为核壳结构，所述核壳结构包括多晶锗内核和位于所述多晶锗内核表面的无定形锗氧化合物外层。
2.如权利要求1所述的锗材料，其特征在于，所述锗材料的BET比表面积为1－50m2/g；和/或
所述锗材料的孔体积为0.005-0.3cm3/g。
3.如权利要求1所述的锗材料，其特征在于，所述锗材料的“孔径－数量分布曲线”为单峰曲线。
4.如权利要求1所述的锗材料，其特征在于，所述无定形锗氧化合物外层的厚度为0.2-5nm。
5.如权利要求1所述的锗材料，其特征在于，所述锗材料具有选自下组的一个或多个特征：
(i)结晶度：所述锗材料的结晶度为20－99％；
(ii)XRD特征峰：所述锗材料具有选自下组的至少3个或全部2θ特征峰：37.38±0.2°、45.39±0.2°、53.78±0.2°、66.13±0.2°、72.92±0.2°、83.81±0.2°。
6.如权利要求1所述的锗材料，其特征在于，所述锗材料具有选自下组的一个或多个特征：
1)以所述锗材料为活性材料制备的锂半电池在C/20倍率下的首次库伦效率≥80％，较佳地≥90％；
2)以所述锗材料为活性材料制备的锂半电池在1C倍率下的首次库伦效率≥90％，较佳地≥95％；
3)以所述锗材料为活性材料制备的锂半电池在1C倍率下经1500次循环后，所述锂半电池的库伦效率≥95％，较佳地≥99％。
7.一种权利要求1所述的锗材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下 步骤：
1)提供无定形氧化锗原料，所述氧化锗原料包含粒径尺寸为5-30μm的由初级锗氧化合物颗粒形成的团聚体；
2)在还原气氛下，将所述氧化锗原料在350-650℃下进行热处理，从而形成权利要求1所述的锗材料。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述热处理温度下的热处理时间为0.05-72h。
9.一种权利要求1所述的锗材料的用途，其特征在于，用于制备锂离子电池负极材料。
10.一种制品，其特征在于，所述制品包含权利要求1所述的锗材料或由权利要求1所述的锗材料制成。