1.一种沟槽型VDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：
在半导体硅基底的表面上形成氧化层；
对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成氧化层窗口，通过所述氧化层窗口对所述硅基底进行刻蚀，形成沟槽；
通过所述氧化层窗口向所述沟槽中注入N型离子，形成沟槽积累区；
去除所述氧化层，在所述沟槽的表面上形成栅氧化层，在所述沟槽中沉积多晶硅；
向所述硅基底中注入P型离子，形成所述沟槽型VDMOS器件的体区和积累层，其中所述P型离子的注入剂量大于所述N型离子的注入剂量，所述体区的深度小于所述沟槽积累区的深度，所述积累层是所述沟槽积累区与所述体区进行离子抵消后保留的部分沟槽积累区；
对所述硅基底进行光刻形成所述沟槽型VDMOS器件的源区，在所述半导体硅基底的表面上形成介质层和金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述硅基底中注入N型离子，包括：
所述N型离子的注入剂量为1E12个/平方厘米～7E12个/平方厘米，注入能量为60千电子伏～120千电子伏。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型离子的注入剂量为3E12个/平方厘米，注入能量为90千电子伏。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型离子是磷离子或砷离子。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述硅基底中注入P型离子，包括：
所述P型离子的注入剂量为2E13个/平方厘米～9E13个/平米厘米。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型离子的注入剂量为5E13个/平方厘米或6E13个/平米厘米。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽为U型沟槽，所述U型沟槽的深度为1.5微米～3微米，宽度为0.5微米～0.75微米。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包括纯二氧化硅层、以及在所述纯二氧化硅层表面上的磷硅玻璃层；
所述纯二氧化硅层的厚度为2000埃，所述磷硅玻璃层的厚度为8000埃。
9.根据权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，所述金属层是铝硅铜合金，所述金属层的厚度是2微米～4微米。