1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、栅极绝缘层、导电通道层、半导体通道层、源极及漏极；该栅极绝缘层覆盖于该栅极上；该导电通道层位于该栅极绝缘层上且与该栅极对应设置；该源极及该漏极分别盖设于该导电通道层两相对侧；该半导体通道层设于该源极与该导电通道层之间及该漏极与该导电通道层之间，以使该源极与该导电通道层及该漏极与该导电通道层彼此隔开；至少部分该导电通道层显露于该源极与该漏极之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体通道层包括位于该源极与该导电通道层之间的第一部分及位于该漏极与该导电通道层之间的第二部分，所述源极、所述第一部分及所述导电通道层在所述栅极绝缘层上的正投影至少部分相重叠，所述漏极、所述第二部分及所述导电通道层在所述栅极绝缘层上的正投影至少部分相重叠。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体通道层的材质包括非晶硅、晶硅、氧化物半导体及有机材料之一或其至少二的组合。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该导电通道层的材料包括铝、钼、铜、银、金、钛、铬、导电高分子、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物之一或其至少二的组合。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该导电通道层与该源极及该漏极均采用相同的材料。
6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
于一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层，并于该栅极绝缘层上形成导电通道层，该导电通道层与该栅极对应设置；
于该导电通道层上覆盖半导体层，并图案化该半导体层以形成半导体图案层，该半导体图案层整个覆盖该导电通道层；
于该半导体图案层上覆盖第二导电层，并图案化该第二导电层以形成分别覆盖该半导体图案层两相对侧的源极及漏极；
蚀刻去除该源极及该漏极之间的半导体图案层，以显露出至少部分所述导电通道层，经蚀刻后的所述半导体图案层形成半导体通道层。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该半导体通道层包括位于该源极与该导电通道层之间的第一部分及位于该漏极与该导电通道层之间的第二部分，所述源极、所述第一部分及所述导电通道层在所述栅极绝缘层上的正投影至少部分相重叠，所述漏极、所述第二部分及所述导电通道层在所述栅极绝缘层上的正投影至少部分相重叠。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该半导体通道层的材质包括非晶硅、晶硅、氧化物半导体及有机材料之一或其至少二的组合。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该导电通道层的材料包括铝、钼、铜、银、金、钛、铬、导电高分子、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物之一或其至少二的组合。
10.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该半导体通道层的步骤包括：
于该半导体图案层上覆盖第二导电层及于该第二导电层上覆盖光阻层；
通过黄光显影制程图案化该光阻层以形成光阻层图案；
将未被该光阻层图案覆盖的该第二导电层蚀刻去除以得到该源极及该漏极；
将该源极及该漏极之间的该半导体图案层蚀刻去除以得到该半导体通道层；
去除该光阻层图案。