技术总结
本发明提供了一种薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、导电通道层、半导体通道层、源极及漏极；该栅极绝缘层覆盖于该栅极上；该导电通道层位于该栅极绝缘层上且与该栅极对应设置；该源极及该漏极分别盖设于该导电通道层两相对侧；该半导体通道层设于该源极与该导电通道层之间及该漏极与该导电通道层之间，以使该源极与该导电通道层及该漏极与该导电通道层彼此隔开；至少部分该导电通道层显露于该源极与该漏极之间。通过将部分位于源极与漏极之间的半导体通道层去除，并利用一导电通道层分别与两侧的半导体通道层接触以将源极与漏极导通，以达到在其他参数未变的情况下，提高薄膜晶体管的起始电流的功效。
技术研发人员：施博理;高逸群;李志隆;林欣桦;方国龙
受保护的技术使用者：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
文档号码：201510269656
技术研发日：2015.05.25
技术公布日：2017.01.04