1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；
采用ALD工艺，在开口中填充金属钨的顶层金属，前驱气体为硅烷或硼烷与六氟化钨，以及对NMOS器件区域的顶层金属，进行非晶化注入。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在开口中填充金属钨的顶层金属的步骤包括：
采用ALD工艺，在PMOS器件区域的开口中填充金属钨的顶层金属，前驱气体为硅烷与六氟化钨；
采用ALD工艺，在NMOS器件区域的开口中填充金属钨的顶层金属，前驱气体为硼烷与六氟化钨。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，非晶化注入的粒子为Ge。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，非晶化注入的工艺条件为：注入的能量为0.5-30keV，注入的剂量为5E14-5E16/cm2。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在开口中填充金属钨的顶层金属以及进行非晶化注入的步骤包括：
采用ALD工艺进行金属钨的淀积，前驱气体为硅烷或硼烷与六氟化钨；
进行平坦化工艺；
在PMOS器件区域上覆盖掩膜层；
进行非晶化注入；
去除掩膜层；
去除开口之外的金属钨，以在开口中形成金属钨的顶层金属。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行ALD工艺之前，还包括步骤：
在开口的内壁上形成高k栅介质层，并进行热退火。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，热退火的温度为 450℃，时间为15s。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在进行ALD工艺之前，形成高k栅介质层之后还包括步骤：
在高k栅介质层上形成第一金属阻挡层；
在第一金属阻挡层上形成金属功函数层；
在金属栅电极上形成第二金属阻挡层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一金属阻挡层或第二金属阻挡层为TiN或WN。