技术总结
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；采用ALD工艺，在开口中填充金属钨的顶层金属，前驱气体为硅烷或硼烷与六氟化钨，以及对NMOS器件区域的顶层金属，进行非晶化注入。本发明的方法提高了PMOS器件沟道的载流子迁移率，增强了PMOS器件的性能，并使得NMOS器件的顶层金属的张应力减小，保证NMOS器件的性能。
技术研发人员：王桂磊;刘金彪;李俊峰;赵超
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201510271246
技术研发日：2015.05.25
技术公布日：2017.01.04