技术总结
本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，包括：在衬底上依次制作外延层、栅氧化层和多晶栅极；对位于相邻的所述多晶栅极之间的所述外延层进行第一次注入形成轻掺杂体区；在所述轻掺杂体区内形成源区注入区，所述源区注入区内的元素具有大原子比重大且易激活的属性；按照第一预设时间进行第一次驱入，以形成沟道区；淀积介质层并刻蚀形成重掺杂体区注入窗口，进行第三次注入在所述轻掺杂体区内形成重掺杂体区；按照第二预设时间进行第二次驱入，以增大所述重掺杂体区的体积并确保所述沟道区的长度，用以解决现有技术中优化EAS能力的同时对器件其他参数造成影响的问题。
技术研发人员：赵文魁;赵圣哲
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510312718
技术研发日：2015.06.09
技术公布日：2017.01.04