技术特征：
1.一种半导体装置，该半导体装置是切换高频信号的半导体装置，上述半导体装置具备：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1层，设置于上述半导体层；第2导电型的第2层，设置于上述半导体层；栅极绝缘膜，设置于上述第1层之上、上述第2层之上以及上述半导体层之上；以及栅极电极，设置于上述栅极绝缘膜之上，上述栅极绝缘膜包括第1栅极绝缘膜和第2栅极绝缘膜，上述第1栅极绝缘膜在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸，上述第2栅极绝缘膜设置在上述第1栅极绝缘膜的两侧，且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层及上述第2层之间，上述第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。2.根据权利要求1记载的半导体装置，上述半导体层是SOI基板或者SOS基板的半导体层，上述半导体层还具备：第2导电型的第3层，与上述第1层相邻，设置成从上述半导体层的表面开始到上述半导体层的底面为止；以及第2导电型的第4层，与上述第2层相邻，设置成从上述半导体层的表面开始到上述半导体层的底面为止。3.根据权利要求1记载的半导体装置，上述第2导电型是N型。4.根据权利要求2记载的半导体装置，上述第2导电型是N型。5.根据权利要求1记载的半导体装置，上述第1层与上述第2层之间的上述半导体层与基准电压源连接。6.根据权利要求1记载的半导体装置，上述第1层的端部设置成与上述第1栅极绝缘膜和上述第2栅极绝缘膜的边界相接，或者，设置成与上述第2栅极绝缘膜相接。7.根据权利要求2记载的半导体装置，上述第1层的端部设置成与上述第1栅极绝缘膜和上述第2栅极绝缘膜的边界相接，或者，设置成与上述第2栅极绝缘膜相接。8.根据权利要求1记载的半导体装置，在栅极长度方向上，从上述第1层的与上述栅极电极端部正下方对应的位置开始到上述第1层的上述端部为止的长度为上述第2栅极绝缘膜的长度以下。9.根据权利要求2记载的半导体装置，在栅极长度方向上，从上述第1层的与上述栅极电极端部正下方对应的位置开始到上述第1层的上述端部为止的长度为上述第2栅极绝缘膜的长度以下。10.一种半导体装置，该半导体装置是半导体集成电路装置，该半导体集成电路装置具备：接口部，将被输入的数据转换成切换信号来进行输出；控制部，转换上述切换信号的电压，输出控制信号；以及切换部，基于上述控制信号来输入输出高频信号，上述切换部具备多个切换元件，该多个切换元件基于上述控制信号切换上述高频信号，上述切换元件具备：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1层，设置于上述半导体层；第2导电型的第2层，设置于上述半导体层；栅极绝缘膜，设置于上述第1层之上、上述第2层之上以及上述半导体层之上；以及栅极电极，设置于上述栅极绝缘膜之上，上述栅极绝缘膜包括第1栅极绝缘膜和第2栅极绝缘膜，上述第1栅极绝缘膜在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸，上述第2栅极绝缘膜设置在上述第1栅极绝缘膜的两侧，且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层及上述第2层之间，上述第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。11.根据权利要求10记载的半导体装置，上述第1层的端部设置成与上述第1栅极绝缘膜和上述第2栅极绝缘膜的边界相接，或者，设置成与上述第2栅极绝缘膜相接。12.根据权利要求10记载的半导体装置，在栅极长度方向上，从上述第1层的与上述栅极电极端部正下方对应的位置开始到上述第1层的上述端部为止的长度为上述第2栅极绝缘膜的长度以下。13.根据权利要求10记载的半导体装置，上述半导体层是SOI基板或者SOS基板的半导体层，上述半导体层还具备：第3层，与上述第1层相邻，是与上述第1层相同的导电型，设置成从上述半导体层的表面开始到上述半导体层的底面为止；以及第4层，与上述第2层相邻，是与上述第2层相同的导电型，设置成从上述半导体层的表面开始到上述半导体层的底面为止。14.根据权利要求10记载的半导体装置，上述第2导电型是N型。15.根据权利要求10记载的半导体装置，上述第1层与上述第2层之间的上述半导体层与基准电压源连接。