技术总结
一种半导体装置。根据1个实施方式,半导体装置是切换高频信号的半导体装置,具备第1导电型的半导体层;设置于上述半导体层的第2导电型的第1层;设置于上述半导体层的第2导电型的第2层;设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜;以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括:第1栅极绝缘膜,在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸;以及第2栅极绝缘膜,在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置,并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间,且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。
技术研发人员:西堀一弥;中川贵博;
受保护的技术使用者:株式会社东芝;
文档号码:201510463261
技术研发日:2015.07.31
技术公布日:2016.07.20