1.一种半导体装置，包括：
裸片附接焊盘；
钉头凸点，位于所述裸片附接焊盘上并且与所述裸片附接焊盘直接接触；
第一裸片，位于所述钉头凸点上并且与所述钉头凸点电耦合；以及
导电附接材料，位于所述裸片附接焊盘和所述第一裸片之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
基板，所述裸片附接焊盘位于所述基板上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
第二裸片，所述裸片附接焊盘位于所述第二裸片上并且与所述第二裸片电耦合。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：
基板，所述第二裸片位于所述基板上。
5.根据权利要求2或4所述的半导体装置，还包括：
树脂，所述树脂包封所述第一裸片、所述导电附接材料和所述基板或者包封所述第一裸片、所述第二裸片、所述导电附接材料和所述基板。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
引线框架，所述裸片附接焊盘耦合至所述引线框架。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：
树脂，所述树脂包封所述第一裸片、所述导电附接材料和所述引线框架。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体装置，其中通过超声波处理来实现所述钉头凸点与所述裸片附接焊盘的直接接触。
9.一种电子设备，包括根据权利要求1-8中任一项所述的半导体装置。
10.一种制造半导体装置的方法，包括：
提供裸片附接焊盘；
在所述裸片附接焊盘上提供钉头凸点，使得所述裸片附接焊盘与所述钉头凸点直接接触；
在所述裸片附接焊盘上提供导电附接材料；以及
在所述钉头凸点和所述导电附接材料上提供第一裸片。
11.根据权利要求10所述的方法，其中提供裸片所述附接焊盘包括：
在基板上提供所述裸片附接焊盘。
12.根据权利要求10所述的方法，其中提供裸片所述附接焊盘包括：
在第二裸片上提供所述裸片附接焊盘，使得所述裸片附接焊盘与所述第二裸片电耦合。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
提供基板，使得所述第二裸片位于所述基板上。
14.根据权利要求11或13所述的方法，还包括：
使用树脂包封所述第一裸片、所述导电附接材料和所述基板或者包封所述第一裸片、所述第二裸片、所述导电附接材料和所述基板。
15.根据权利要求10所述的方法，还包括：
提供引线框架，使得所述裸片附接焊盘耦合至所述引线框架。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
使用树脂包封所述第一裸片、所述导电附接材料和所述引线框架。
17.根据权利要求10-16中任一项所述的方法，其中使用超声波对所述半导体装置进行处理，使得至少去除所述裸片附接焊盘表面上的部分金属氧化物层，从而实现所述裸片附接焊盘与所述钉头凸点的直接接触。