技术总结
一种半导体结构及其形成方法，本发明去除靠近所述第一凹槽的部分第一掩膜，形成露出部分第一鳍部和部分第二鳍部的第一开口，通过填充所述第一凹槽和第一开口形成第一隔离结构，因此第一隔离结构不仅能够实现所述第一鳍部和第二鳍部之间的电隔离，还能够覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分顶部表面。因此第一鳍部和第二鳍部靠近第一凹槽的顶部表面不会在形成应力层的过程中受损，从而能够改善所形成应力层的形貌，因此提高了所形成半导体结构的性能，提高器件制造良品率。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510713879
技术研发日：2015.10.28
技术公布日：2017.05.10