技术总结
一种快闪存储器的制作方法，首先在存储晶体管栅极堆叠结构外表面及其间的基底表面采用原子层沉积法形成功能层，该功能层厚度均匀，且不会填满间距较小的存储晶体管栅极堆叠结构之间的间隙；后对功能层进行处理使其表面粗糙易吸水；处理后的功能层吸水后，在功能层表面利用化学气相沉积工艺形成介质层，化学气相沉积工艺为高温工艺，在高温下，功能层内吸收的水分蒸发形成向上气流，阻止介质层沉积。该填充性能较差的填充工艺在间距较小的存储晶体管的栅极堆叠结构之间形成了空气隙，空气隙的介电常数小于二氧化硅介质层的介电常数，因而能降低读、写、擦除过程中产生的寄生电容，避免相邻存储晶体管之间相互干扰。
技术研发人员：陈亮;仇圣棻
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510714032
技术研发日：2015.10.28
技术公布日：2017.05.10