1.一种半导体晶片的清洗方法，包括以下步骤：
脱胶步骤：加入异丙醇清洗；
第一酸洗步骤：加入质量分数为0.1％～0.2％的氨基硫酸溶液，循环清洗第一预定时长；加入质量分数为0.1％～0.3％的柠檬酸溶液，清洗第二预定时长；
第二酸洗步骤：采用氢氟酸与水的比例为1：99的稀氢氟酸清洗。
2.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述脱胶步骤之前还包括用去离子水清洗晶片。
3.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述脱胶步骤之后、所述第一酸洗步骤之前还包括用去离子水清洗晶片。
4.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述第一酸洗步骤之后、所述第二酸洗步骤之前还包括用去离子水清洗晶片。
5.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述第二酸洗步骤之后还包括用去离子水清洗晶片。
6.如权利要求5所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：用去离子水清洗晶片之后还包括干燥所述晶片。
7.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：所述第一酸洗步骤中，所述第一预定时长为1～3小时，所述氨基硫酸溶液的温度控制在40～50度。
8.如权利要求7所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：所述第二预定时长为0.5～1小时，并加入碱液调整所述柠檬酸溶液的pH控制在3.5～4.0。
9.如权利要求8所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：所述碱液为氨水。