技术总结
本发明提供一种导电桥接式随机存取存储器。此导电桥接式随机存取存储器包括底电极层形成于半导体基板上；电阻转态层形成于底电极层上；阻挡层形成于电阻转态层上；顶电极层形成于阻挡层上；以及高导热材料层形成于底电极层与阻挡层之间。此高导热材料层的导热系数为70(W/mK)-5000(W/mK)。通过实施本发明，有助于提升存储器装置的稳定性及产品生命周期。
技术研发人员：曾俊元;蔡宗霖;江法伸
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
文档号码：201510844982
技术研发日：2015.11.27
技术公布日：2017.05.17