1.一种用于光学通信的方法，所述方法包括：
在具有光电探测器的半导体晶片中，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触：
接收光信号；
在所述锗层中吸收光信号；
从吸收的光信号生成电信号；以及
经由所述n型硅层和所述p型硅层将所述电信号传送出所述光电探测器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电探测器包括水平结双异质结构，其中，所述锗层位于所述n型硅层和所述p型硅层之上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，本征掺杂的硅层位于在所述n型硅层和所述p型硅层之间的所述锗层之下。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述锗层的最接近所述p型硅层的部分被p掺杂。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电探测器包括垂直结双异质结构，其中，所述锗层位于低掺杂的n型硅层之上。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述n型硅层和所述p型硅层在位于所述锗层之下的所述低掺杂的硅层的相反侧上，其中，所述p型硅层和所述低掺杂的n型硅层与所述锗层接触，而所述n型硅层不与所述锗层接触。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述锗层的顶部部分是掺杂的p型。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电探测器包括表面照明的双异质结构光电探测器。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述表面照明的双异质结构光电探测器中的所述n型硅层和所述p型硅层包括相互交叉的手指。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述表面照明的双异质结构光电探测器中的所述n型硅层和所述p型硅层包括在所述表面照明的双异质结构光电探测器的外边缘的环形结构。
11.一种用于通信的系统，所述系统包括：
具有光电探测器的半导体晶片，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，所述光电探测器可操作为：
接收光信号；
在所述锗层中吸收光信号；
从吸收的光信号生成电信号；以及
经由所述n型硅层和所述p型硅层将所述电信号传送出所述光电探测器。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述光电探测器包括水平结双异质结构，其中，所述锗层位于所述n型硅层和所述p型硅层之上。
13.根据权利要求12所述的系统，其中，本征掺杂的硅层位于在所述n型硅层和所述p型硅层之间的所述锗层之下。
14.根据权利要求12所述的系统，其中，所述锗层的最接近所述p型硅层的部分被p掺杂。
15.根据权利要求11所述的系统，其中，所述光电探测器包括垂直结双异质结构，其中，所述锗层位于低掺杂的n型硅层之上。
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述n型硅层和所述p型硅层在位于所述锗层之下的低掺杂的硅层的相反侧上，其中，所述p型硅层和所述低掺杂的n型硅层与所述锗层接触，而所述n型硅层不与所述锗层接触。
17.根据权利要求15所述的系统，其中，所述锗层的顶部部分是掺杂的p型。
18.根据权利要求11所述的系统，其中，所述光电探测器包括表面照明的双异质结构光电探测器，并且在所述表面照明的双异质结构光电探测器中的所述n型硅层和所述p型硅层包括相互交叉的手指。
19.根据权利要求18所述的系统，其中，所述光电探测器包括表面照明的双异质结构光电探测器，并且在所述表面照明的双异质结构光电探测器中的所述n型硅层和所述p型硅层包括在所述表面照明的双异质结构光电探测器的外边缘处的环形结构。
20.一种用于通信的系统，所述系统包括：
具有双异质结构光电探测器的半导体晶片，所述双异质结构光电探测器包括：n型硅层；锗层，在所述锗层的一部分中具有p型掺杂；p型硅层；以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，所述双异质结构光电探测器可操作为：
接收光信号；
在所述锗层中吸收光信号；
从吸收的光信号生成电信号；以及
经由所述n型硅层和所述p型硅层将所述电信号传送出所述光电探测器。