技术总结
公开了用于没有锗层接触的硅上锗光电探测器的方法和系统，并且在具有光电探测器的半导体晶片内，其中，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个上的金属接触，可以包括：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；从吸收的光信号生成电信号；以及经由所述n型硅层和所述p型硅层将电信号传送出所述光电探测器。所述光电探测器可以包括水平或垂直结双异质结构，其中，所述锗层位于n型硅层和p型硅层之上。本征掺杂的硅层可以位于在n型硅层和p型硅层之间的锗层之下。锗层的顶部部分可以被p掺杂。
技术研发人员：卡姆-扬·霍恩;詹洛伦佐·马西尼;苏巴尔·萨尼;
受保护的技术使用者：卢克斯特拉有限公司;
技术研发日：2015.12.01
技术公布日：2016.07.13