技术总结
一种CMOS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有层间介质层，且位于第一区域的层间介质层内具有第一开口，位于第二区域的层间介质层内具有第二开口；在第一开口底部和侧壁表面、以及第二开口底部和侧壁表面形成栅介质层；在第一开口内填充满填充层；在第二开口内的栅介质层表面形成第一功函数层，第一功函数层还位于填充层表面；在第一功函数层表面形成填充满第二开口的第一栅电极层；去除填充层，暴露出第一开口内的栅介质层表面；在第一开口内的栅介质层表面形成第二功函数层；在第二功函数层表面形成填充满第一开口的第二栅电极层。本发明使得形成第二栅电极层工艺的填孔性能得到改善，进而提高形成的CMOS器件的性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510894238
技术研发日：2015.12.07
技术公布日：2017.06.13