技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，以及凸出于衬底的鳍部，鳍部的一部分位于第一区域，为第一鳍部，鳍部的另一部分位于第二区域，为第二鳍部；在鳍部之间衬底表面形成覆盖部分第一鳍部的第一隔离层，以及覆盖第二鳍部的第二隔离层，第一隔离层的顶部低于第二隔离层的顶部；对第二鳍部进行掺杂，在第二鳍部内形成有源区电阻。本发明通过在第二鳍部之间的衬底表面形成覆盖第二鳍部的第二隔离层，以保护所述第二鳍部，避免所述第二鳍部因暴露在所述第一鳍部的工艺环境中而被消耗，从而避免所述第一鳍部的工艺对所述第二鳍部尺寸造成影响，进而提高FinFET有源区电阻的性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2015.12.30
技术公布日：2017.07.07