技术特征：
技术总结
本发明提供一种反熔丝存储器及半导体存储装置，其中，反熔丝存储器(2b)中未使用如现有技术的控制电路，而设置有半导体接合结构的整流元件(3)，通过存储器栅极(G)和字线(WL1)的电压值，使从存储器栅极(G)向字线(WL1)施加电压成为反向偏置电压，通过该整流元件(3)能够阻断从存储器栅极(G)向字线(WL1)的电压施加，因此，不需要如现有技术的用来选择性地向存储器电容施加电压的开关晶体管，或用来使开关晶体管进行导通截止动作的开关控制电路，相应地能够实现小型化。
技术研发人员：谷口泰弘;葛西秀男;川嶋泰彦;樱井良多郎;品川裕;奥山幸祐
受保护的技术使用者：株式会社佛罗迪亚
技术研发日：2015.10.09
技术公布日：2017.08.29