技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含一半导体管芯，包含一叠层结构，一第一接合垫及一第二接合垫凸设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm，一载板，具有一表面，一第三接合垫及一第四接合垫，设于该载板的该表面上，及一导电接合层，该导电接合层包含一电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。
技术研发人员：廖世安;陈効义;许明祺;刘俊宏;谢明勋
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
技术研发日：2016.03.16
技术公布日：2017.09.26