1.一种用于有机电子器件的空穴导电层，其中，包含单核的二次平面过渡金属络合物的掺杂材料被引入到空穴导电基体中，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛二酮酸和2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸。
2.根据权利要求1所述的空穴导电层，其中所述中心原子选自下述过渡金属：Cu、Co、Ni、Pd、Pt。
3.根据上述权利要求1至2之一所述的空穴导电层在有机电子器件中的应用。
4.一种具有掺杂的空穴导电层的有机电子器件，其中掺杂材料包括单核的二次平面过渡金属络合物，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛二酮酸和2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸。
5.根据权利要求4所述的器件，所述器件是自发射的器件。
6.一种有机光电子器件，其具有掺杂的空穴导电层，其中掺杂材料包含过渡金属络合物，所述过渡金属络合物是单核的且二次平面的，并且其中所述器件是有机发光电化学电池(OLEEC)。