技术特征：
技术总结
本发明的相变存储器的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底的表面包括第一介质层及位于第一介质层中、用于引出电极的连接塞；沉积第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层以及连接塞；去除部分连接塞及部分第一介质层上的第二介质层，形成沟槽；沉积覆盖沟槽的底壁、沟槽的侧壁及第二介质层的底部接触电极，沉积位于沟槽内并覆盖底部接触电极的外延层和位于沟槽内并覆盖外延层的第三介质层；去除沟槽中的第一介质层上的底部接触电极、外延层及第三介质层，随后沉积第四介质层以填满沟槽；依次沉积相变材料层和顶部接触电极，相变材料层及顶部接触电极依次覆盖底部接触电极。本发明中，避免底部接触电极被氧化，提高底部接触电极的接触性能。
技术研发人员：伏广才;李志超;周耀辉
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2016.04.18
技术公布日：2017.10.31