技术特征：
技术总结
本发明提供了一种集成电路金属连线的制备方法，包括：在完成硅衬底上的金属层制备后，对所述金属层进行图形化处理；对图形化处理后的金属层进行穿透刻蚀处理；在完成所述穿透刻蚀处理后，采用三氟氢碳气体、三氯化硼气体和氯气的混合气体对所述金属层进行干法刻蚀处理。通过本发明技术方案，改善了金属刻蚀过程的副产物残留问题，提升了器件可靠性和成品率。
技术研发人员：陈定平;杜卫星
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.05.04
技术公布日：2017.11.14