1.一种CsPbI3薄膜的溶液制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)CsPbI3前驱体溶液的制备：将0.5mmol CsI和0.5mmol PbI2加入到2mL DMF中搅拌至溶解完全，随后加入0～165μL 57wt％的HI溶液助溶，继续搅拌直至溶解完全，静置陈化0～96hrs，得到黄色CsPbI3前驱体溶液；
(2)CsPbI3前驱体薄膜的制备：在FTO玻璃基底上旋涂所述CsPbI3前驱体溶液，旋转速度为2000rpm，旋涂时间为30s，随后置于100℃的加热板上干燥10min，即得到CsPbI3前驱体薄膜；
(3)CsPbI3薄膜的制备：在玻璃培养皿中加入30mL溶剂，将所述CsPbI3前驱体薄膜浸泡在溶剂中，并将玻璃培养皿放在80～200℃的加热板上退火，退火时间为1～15min，退火结束后将基底吹干，通过溶剂诱导晶粒二次生长得到大晶粒的CsPbI3致密薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
步骤(1)中HI的加入量为66μL；静置陈化的时间为48小时。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
步骤(3)中所述溶剂为醇类或酮类有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：
步骤(3)中所述溶剂为异丙醇。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
步骤(3)中退火温度为100℃，退火时间为3min。
6.一种权利要求1制备的CsPbI3薄膜在光伏器件中的应用，其特征在于包括如下步骤：
(1)在FTO导电玻璃的FTO薄膜所在面上沉积致密层TiO2薄膜作为电子传输层；
(2)将0.5mmol CsI和0.5mmol PbI2加入到2mL DMF中搅拌至溶解完全，随后加入0～165μL 57wt％的HI溶液助溶，继续搅拌直至溶解完全，静置陈化0～96hrs，得到黄色CsPbI3前驱体溶液；在所述电子传输层上旋涂所述CsPbI3前驱体溶液，旋转速度为2000rpm，旋涂时间为30s，随后置于100℃的加热板上干燥10min，即得到CsPbI3前驱体薄膜；在玻璃培养皿中加入30mL溶剂，将所述CsPbI3前驱体薄膜浸泡在溶剂中，并将玻璃培养皿放在80～200℃的加热板上退火，退火时间为1～15min，退火结束后将基底吹干，通过溶剂诱导晶粒二次生长得到大晶粒的CsPbI3致密薄膜，即为CsPbI3光吸收层薄膜；
(3)在所述CsPbI3光吸收层薄膜上制备2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]9,9'-螺二芴层作为空穴传输层；
(4)在所述空穴传输层上蒸镀Ag或Au电极作为顶电极，即得CsPbI3无机钙钛矿光伏器件。
7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：
电子传输层厚度为20～100nm；CsPbI3光吸收层薄膜厚度为100～300nm；空穴传输层厚度为20～100nm；顶电极厚度为50～150nm。
8.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：
整个器件的制备在开放空气条件下进行，温度为10-40℃，相对湿度≤30％。