技术特征：
技术总结
本发明公开了集成电路及其制造方法。集成电路包括晶体管、第一介电层、蚀刻停止层、第一通孔和第一导电层。第一介电层设置在晶体管和蚀刻停止层之间。第一通孔设置在第一介电层和蚀刻停止层中，并且电连接至晶体管。第一导电层与第一通孔接触，其中第一通孔设置在第一导电层和晶体管之间，并且蚀刻停止层位于部分第一通孔旁边并且与第一导电层相邻。
技术研发人员：赖文隆;蒋振劼;郑志成;张简旭珂
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.08.11
技术公布日：2017.09.12