技术总结
本发明公开了超结器件的制造方法。通过该方法实现超结器件的稳定生产，获得电学一致性好的超结器件。该方法包括：在衬底上提供第一外延层；将第一导电类型掺杂剂离子注入到第一外延层内，以形成第一导电类型掺杂剂本体区；在所述第一外延层上形成掩模层，以限定用于形成第二导电类型的柱形扩散区的区域；将第二导电类型掺杂剂离子注入到第一外延层，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；去除所述掩模层；进行高温推阱，使第一导电类型掺杂本体区中第一导电类型掺杂物和第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到交替的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的柱形扩散区。
技术研发人员：任留涛;李欣;刘铁川
受保护的技术使用者：上海超致半导体科技有限公司
文档号码：201610655958
技术研发日：2016.08.11
技术公布日：2016.12.14