技术总结
提供晶片的加工方法，将由SiC基板构成的晶片分割成一个个的器件芯片，具有：分离起点形成步骤，将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一面或第二面相当于器件芯片的完工厚度的区域，使聚光点与SiC基板相对地移动并照射激光束，形成与第一面平行的改质层和裂痕而作为分离起点；器件形成步骤，在第一面上在由相互交叉的多条分割预定线划分出的区域中形成多个器件；分割起点形成步骤，沿着形成于第一面的多条分割预定线形成相当于器件芯片的完工厚度的深度的分割起点；保护部件配设步骤，在第一面上配设保护部件；和晶片分离步骤，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离。
技术研发人员：平田和也;西野曜子
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
文档号码：201610674731
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2017.03.01