1.一种制造半导体的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、BPSG淀积形成绝缘层；
S2、采用第一清洗液和第二清洗液分别对淀积后的BPSG进行第一次清洗，所述第一清洗液包括氢氧化铵和过氧化氢，所述第二清洗液包括氯化氢和过氧化氢；
S3、退火；
S4、采用所述第一清洗液和所述第二清洗液对退火后的BPSG进行第二次清洗；
S5、在BPSG上进行PETEOS氧化层淀积；
S6、进行光刻；
S7、进行刻蚀；
S8、淀积金属钨。
2.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，在步骤S2中，第一次清洗的时间不大于3分钟。
3.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，在步骤S4中，第二次清洗的时间不大于3分钟。
4.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，在步骤S7中，对BPSG的刻蚀速率不大于60A/min。
5.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，第一清洗液中的氢氧化铵、过氧化氢、水的摩尔比为：氢氧化铵：过氧化氢：水＝1:4:20。
6.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，第二清洗液中的氯化氢、过氧化氢、水的摩尔比为：氯化氢：过氧化氢：水＝1:2:10。
7.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，在步骤S2中，在进行第一次清洗时，先采用第一清洗液对淀积后的BPSG进行清洗后，再采用第二清洗液进行清洗。
8.如权利要求1所述的制造半导体的工艺方法，其特征在于，在步骤S4中，在进行第二次清洗时，先采用第一清洗液对退火后的BPSG进行清洗后，再采用第二清洗液进行清洗。