技术总结
本发明公开了一种制造半导体的工艺方法，包括以下步骤：S1、BPSG淀积形成绝缘层；S2、采用第一清洗液和第二清洗液分别对淀积后的BPSG进行第一次清洗，所述第一清洗液包括氢氧化铵和过氧化氢，所述第二清洗液包括氯化氢和过氧化氢；S3、退火；S4、采用所述第一清洗液和所述第二清洗液对退火后的BPSG进行第二次清洗；S5、在BPSG上进行PETEOS氧化层淀积；S6、进行光刻；S7、进行刻蚀；S8、淀积金属钨。本发明的制造半导体的工艺方法可以有效降低退火前后的BPSG的表面浓度，降低了晶体析出，改善表面缺陷。
技术研发人员：刘峰松;梁斌;赖红梅;蔡双
受保护的技术使用者：上海先进半导体制造股份有限公司
文档号码：201610853139
技术研发日：2016.09.26
技术公布日：2016.11.23