1.一种有源层材料，其特征在于，其分子式为(AO)x(BO)y(Ta2O5)z，其中0.70≤x+y≤0.99，0.01≤z≤0.30，且x+y+2z＝1；A为镓、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆、锡、磷、钒、砷、钛、铅、钾或镧系稀土元素中的任意一种或两种以上的任意组合，B为铟或锡中的任意一种或两种的组合。
2.一种采用权利要求1的有源层材料制成的薄膜晶体管，其特征在于：包括有源层，所述有源层包括一层或多层不同成分的氧化物半导体薄膜，所述有源层表面层为等离子隔绝层，所述等离子隔绝层为含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜的载流子浓度为1016—1018cm-3，迁移率为1—50cm2/Vs，在经过SF6，C3F8，CF4，Ar，N2，SiH4，NH3，N2O，O2，Cl2工艺气体产生的高温等离子体轰击，持续时间30s—600s后，载流子浓度为1016—1018cm-3。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜厚度为2nm—50nm。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：采用顶栅结构、背沟道刻蚀结构或垂直结构。
6.一种采用权利要求2至4中任意一项所述的薄膜晶体管的顶栅结构TFT的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，
步骤一、在衬底上制备缓冲层；
步骤二、在所述缓冲层上沉积含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜，然后图形化含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜作为有源层；
步骤三、在所述有源层上连续沉积第一绝缘层和第一金属层，分别作为栅极绝缘层和栅极电极，图形化栅极电极，并利用栅极电极，采用自对准的方法，图形化栅极绝缘层；
步骤四、沉积并图形化第三绝缘层作为钝化层；
步骤五、在所述钝化层上沉积并图形化第二金属层，作为源漏电极层。
7.根据权利要求6所述的顶栅结构TFT的制作方法，其特征在于：所述薄膜沉积方法包括物理气相沉积，化学气相沉积，原子层沉积，激光沉积。
8.根据权利要求6所述的顶栅结构TFT的制作方法，其特征在于：所述衬底包括具有缓冲层的玻璃衬底，以及具有水氧阻隔层的柔性衬底。
9.一种采用权利要求2至4中任意一项所述的薄膜晶体管的垂直结构TFT的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，
步骤一、在衬底上制备缓冲层；
步骤二、在所述缓冲层上沉积源极金属层；
步骤三、在所述源极金属层上沉积隔离层；
步骤四、在所述隔离层上沉积漏极金属层；
步骤五、在所述漏极金属层上沉积含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜；
步骤六、在所述含有钽掺杂的氧化物半导体薄膜上沉积栅极绝缘层；
步骤七、在所述栅极绝缘层上沉积栅极电极。
10.根据权利要求9所述的垂直结构TFT的制作方法，其特征在于：所述薄膜沉积方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积和激光沉积。