技术总结
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及有源层材料、薄膜晶体管及垂直和顶栅结构TFT的制作方法，其分子式为(AO)x(BO)y(Ta2O5)z，其中0.70≤x+y≤0.99，0.01≤z≤0.30，且x+y+2z＝1。A为镓、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆、锡、磷、钒、砷、钛、铅、钾或镧系稀土元素中的任意一种或两种以上的任意组合，B为铟或锡中的任意一种或两种的任意组合，金属氧化物半导体有源层材料由于掺入Ta元素，有效地拓展了沟道制作的工艺窗口，以获得高性能的金属氧化物薄膜晶体管，1、掺钽的金属氧化物半导体材料能承受更高的工艺温度，如PECVD钝化层工艺的沉积温度，仍然能保持较好的TFT特性，2、掺钽的金属氧化物半导体材料还能有效地抵抗等离子体轰击作用，可大大地提高薄膜晶体管的器件稳定性。
技术研发人员：李民;陶洪;徐苗;王磊;徐华;邹建华;彭俊彪
受保护的技术使用者：广州新视界光电科技有限公司
文档号码：201610861764
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.01.04