1.一种半导体器件的电极制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层；
在所述第一层间介质层表面形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模，且所述第一开口和所述第二开口连通形成第一层叠开口；
在所述第一抗蚀刻剂掩模上方形成第一导体层，所述第一导体层包括位于所述第一抗蚀刻剂掩模表面的第一部分，以及位于所述第一层叠开口中的第二部分；以及
去除所述第一抗蚀刻剂掩模，所述第一导体层的第一部分与所述第一抗蚀刻剂掩模一同被除去，保留所述第一导体层的第二部分作为第一面电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的电极制作方法，所述半导体衬底包括有源区，其特征在于，在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层的步骤包括：
在所述半导体衬底的第一表面形成第一层间介质层；
在所述第一层间介质层表面形成具有第一开口的第二抗蚀刻剂掩模；
经由所述第一开口对所述第一层间介质层进行蚀刻操作，形成具有第一开口的第一层间介质层；以及
去除所述第二抗蚀刻剂掩模，其中
所述半导体衬底的有源区经由所述第一开口部分裸露在外，所述裸露在外的半导体衬底的有源区为第一电极接触区。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模的过程中，采用恒定曝光能量，从而形成侧壁陡直的第二开口。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模的过程中，采用随时间递增的曝光能量，从而形成侧壁随着深度扩展的第二开口。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第二开口大于所述第一开口，所述第一开口经由所述第二开口完全暴露在外。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第一层间介质层具有第一厚度，所述第一抗蚀刻剂掩模具有第二厚度，所述第一导体层具有第三厚度，其中，所述第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度之和，所述第一导体层的第二部分的上表面低于所述第一抗蚀刻剂掩模的上表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第三厚度大于所述第一厚度，所述第一导体层的第二部分填充所述第一开口，且在所述第一层间介质层上横向延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，还包括：
在半导体衬底的第二表面上形成具有第三开口的第二层间介质层，所述第二表面与所述第一表面相对；
在所述第二层间介质层表面形成具有第四开口的第三抗蚀刻剂掩模，且所述第三开口和所述第四开口连通形成第二层叠开口；
在第三抗蚀刻剂掩模上方形成第二导体层，所述第二导体层包括位于第三抗蚀刻剂掩模表面的第一部分，以及位于所述第二层叠开口中的第二部分；以及
去除所述第三抗蚀刻剂掩模，所述第二导体层的第一部分与所述第三抗蚀刻剂掩模一同被除去，保留所述第二导体层的第二部分作为第二面电极。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的电极制作方法，所述半导体衬底包括有源区，其特征在于，所述在半导体衬底的第二表面上形成具有第三开口的第二层间介质层的步骤包括：
在所述半导体衬底的第二表面形成第二层间介质层；
在所述第二层间介质层表面形成具有第三开口的第四抗蚀刻剂掩模；
经由所述第三开口对所述第二层间介质层进行蚀刻操作，形成具有第三开口的第二层间介质层；以及
去除所述第四抗蚀刻剂掩模，其中
所述半导体衬底的有源区经由所述第三开口部分裸露在外，所述裸露在外的半导体衬底的有源区为第二电极接触区。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第二层间介质层与所述第一层间介质层同时形成。
11.根据权利要求8所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，形成具有第四开口的第三抗蚀刻剂掩模的过程中，采用恒定曝光能量，从而形成侧壁陡直的第四开口。
12.根据权利要求8所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，形成具有第四开口的第三抗蚀刻剂掩模的过程中，采用随时间递增的曝光能量，从而形成侧壁随着深度扩展的第四开口。
13.根据权利要求8所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第四开口大于所述第三开口，所述第三开口经由所述第四开口完全暴露在外。
14.根据权利要求8所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第二层间介质层具有第一厚度，所述第三抗蚀刻剂掩模具有第二厚度，所述第二导体层具有第三厚度，其中，所述第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度之和，所述第二导体层的上表面低于所述第三抗蚀刻剂掩模的上表面。
15.根据权利要求14所述的半导体器件的电极制作方法，其特征在于，所述第三厚度大于所述第一厚度，所述第二导体层的第二部分填充所述第三开口，且在所述第二层间介质层上横向延伸。