技术总结
本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法，包括：在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层；在所述第一介质层表面形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模，且所述第一开口和所述第二开口连通形成第一层叠开口；在第一抗蚀刻剂掩模上方形成第一导体层，所述第一导体层包括位于第一抗蚀刻剂掩模表面的第一部分，以及位于所述第一层叠开口中的第二部分；以及去除所述第一抗蚀刻剂掩模，所述第一导体层的第一部分与所述第一抗蚀刻剂掩模一同被除去，保留所述第一导体层的第二部分作为第一面电极。
技术研发人员：殷登平;王世军;姚飞
受保护的技术使用者：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
文档号码：201610885936
技术研发日：2016.10.11
技术公布日：2017.01.11