晶片的加工方法与流程

本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片中，通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有作为器件的图像传感器，沿着对图像传感器进行划分的多条分割预定线对晶片进行分割。

背景技术：

如本领域技术人员所熟知的那样，在半导体器件制造工艺中，通过在硅等基板的正面上层叠有绝缘膜和功能膜的功能层来形成半导体晶片，其中，在该半导体晶片中呈矩阵状形成有多个ic、lsi等器件。关于这样形成的半导体晶片，通过分割预定线来划分出上述器件，通过沿着该分割预定线进行分割而制造出各个半导体器件芯片。

近年来，为了提高ic、lsi等半导体芯片的处理能力而实用化了通过功能层来形成半导体器件的方式的半导体晶片，该功能层是在硅等基板的正面上层叠的由siof、bsg(siob)等无机物类的膜和作为聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜的有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(low-k膜)。

通常，通过一种叫做划片机的切削装置来进行沿着这样的半导体晶片的分割预定线的分割。该切削装置具有：卡盘工作台，其对作为被加工物的半导体晶片进行保持；切削单元，其用于对保持在该卡盘工作台上的半导体晶片进行切削；以及移动单元，其使卡盘工作台与切削单元相对地移动。切削单元包含高速旋转的主轴和安装在该主轴上的切削刀具。切削刀具由圆盘状的基台和安装在该基台的侧表面外周部的环状的切削刃构成，切削刃例如是通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定而形成的。

然而，由于上述的low-k膜与晶片的材料不同，所以很难通过切削刀具同时进行切削。即，由于low-k膜像云母那样非常地脆，所以当通过切削刀具沿着分割预定线进行切削时，存在low-k膜发生剥离且该剥离一直到达器件的电路而对器件造成致命的损伤的问题。

为了解决上述问题，在下述专利文献1中公开了晶片的分割方法，沿着分割预定线对形成在晶片上的分割预定线的两侧照射激光光线，从而沿着分割预定线形成两条激光加工槽而将功能层断开(功能层断开工序)，将切削刀具定位在该两条激光加工槽的内侧之间而使切削刀具与晶片相对移动，由此，将晶片沿着分割预定线切断。

另外，当从晶片的正面侧沿着分割预定线照射激光光线时，由于碎屑会飞散，所以在实施功能层断开工序之前将由聚乙烯醇(pva)等水溶性树脂构成的保护膜覆盖在晶片的正面上，防止飞散出的碎屑直接附着在器件上。

专利文献1：日本特开2005-64230号公报

然而，在形成于硅等基板的正面上的器件为cmos或ccd等图像传感器的情况下，即使在晶片的正面上覆盖由pva等水溶性树脂构成的保护膜，飞散出的较大的碎屑也会贯穿保护膜而对构成图像传感器的纤细的像素造成损伤，存在图像传感器的品质降低的问题。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，即使是在基板的正面上形成有图像传感器的晶片，也能够不降低品质而将晶片分割成各个图像传感器。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片中，通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有图像传感器，该晶片的加工方法沿着对该图像传感器进行划分的多条分割预定线对该晶片进行分割，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：

保护部件粘接工序，将保护部件粘接在晶片的正面上；

分割槽形成工序，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域而残留出未到达功能层的基板的一部分而形成分割槽；以及

晶片分割工序，从实施了该分割槽形成工序的基板的背面侧沿着该分割槽的底部照射激光光线，将残留的基板的一部分和功能层切断。

优选晶片的加工方法还具有如下的背面磨削工序：在实施了上述保护部件粘接工序之后，并在实施上述分割槽形成工序之前对构成晶片的基板的背面进行磨削而形成为规定的厚度。

优选晶片的加工方法还具有如下的晶片支承工序：将实施了上述晶片分割工序的晶片的背面粘接在粘合带的正面上并且将粘接在晶片的正面上的保护部件剥离，其中，该粘合带的外周部被安装成覆盖环状的框架的内侧开口部。

根据本发明的晶片的加工方法，在晶片分割工序中，由于从构成晶片的基板的背面侧沿着分割槽的底部照射激光光线，将所残留的基板的一部分和功能层切断，所以即使较大的碎屑飞散也不会落在形成于晶片的正面的图像传感器上，不会对构成图像传感器的纤细的像素造成损伤，解决了图像传感器的品质降低的问题。

并且，根据本发明的晶片的加工方法，由于晶片分割工序将在分割槽形成工序中所残留的基板的一部分和功能层切断，所以所切断的厚度薄到15～20μm，因此能够通过激光光线的照射来完全切断。

进而，在本发明的晶片的加工方法中，由于晶片分割工序不需要像以往技术那样形成两条宽度超过形成上述分割槽的切削刀具的宽度的激光加工槽，所以能够使分割预定线的宽度变窄，能够增加在1张晶片中能够形成的图像传感器的量并能够实现生产性的提高。

附图说明

图1的(a)和(b)是半导体晶片的立体图和半导体晶片的主要部分放大剖视图。

图2的(a)和(b)是保护部件粘接工序的说明图。

图3的(a)和(b)是背面磨削工序的说明图。

图4是用于实施分割槽形成工序的切削装置的主要部分立体图。

图5的(a)～(d)是分割槽形成工序的说明图。

图6是用于实施晶片分割工序的激光加工装置的主要部分立体图。

图7的(a)～(d)是晶片分割工序的说明图。

图8的(a)、(b)是晶片支承工序的说明图。

图9是用于实施拾取工序的拾取装置的立体图。

图10的(a)～(c)是图像传感器分离工序的说明图。

标号说明

2：半导体晶片；20：基板；21：功能层；22：分割预定线；23：图像传感器；24：分割槽；25：激光加工槽；3：保护部件；4：磨削装置；41：磨削装置的卡盘工作台；42：磨削单元；426：磨削磨具；5：切削装置；51：切削装置的卡盘工作台；52：切削单元；523：切削刀具；6：激光加工装置；61：激光加工装置的卡盘工作台；62：激光光线照射单元；622：聚光器；7：环状的框架；70：粘合带；8：拾取装置；81：框架保持单元；82：带扩展单元；83：拾取夹头。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法进行详细地说明。

在图1的(a)和(b)中示出了通过本发明的晶片的加工方法分割成各个图像传感器的半导体晶片2的立体图及其主要部分放大剖视图。在半导体晶片2中形成有功能层21，该功能层21是层叠在例如厚度为600μm的硅等基板20的正面20a上的绝缘膜和功能膜，在由呈格子状形成在该功能层21上的多条分割预定线22划分出的多个区域内形成有cmos或ccd等图像传感器23。另外，本实施方式中，功能层21的厚度被设定为10μm，形成功能层21的绝缘膜由sio2膜或低介电常数绝缘体被膜(low-k膜)构成，该低介电常数绝缘体被膜由siof、bsg(siob)等无机物类的膜和作为聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜的有机物类的膜构成。另外，图像传感器23的大小被设定为17mm×13mm。

对将上述的半导体晶片2沿着分割预定线分割的晶片的加工方法进行说明。首先，为了保护图像传感器23，如图2所示，在层叠于构成半导体晶片2的基板20上的功能层21的正面21a上粘接保护部件3(保护部件粘接工序)。另外，在本实施方式中，使用保护带来作为保护部件3，该保护带是在例如厚度为100μm的由聚氯乙烯(pvc)构成的片状基材的正面上涂布厚度为5μm左右的丙烯酸树脂类的粘合层。并且作为保护部件，能够使用玻璃基板等具有刚性的硬片。

在实施了上述的保护部件粘接工序之后，实施背面磨削工序，对构成半导体晶片2的基板20的背面进行磨削而使半导体晶片2形成为规定的厚度。使用图3的(a)所示的磨削装置4来实施该背面磨削工序。图3的(a)所示的磨削装置4具有对被加工物进行保持的卡盘工作台41和对保持在该卡盘工作台41上的被加工物进行磨削的磨削单元42。卡盘工作台41构成为将被加工物吸引保持在作为保持面的上表面上，并通过未图示的旋转驱动机构按照图3的(a)中箭头41a所示的方向旋转。磨削单元42具有：主轴外壳421；主轴422，其以自由旋转的方式被该主轴外壳421支承，并通过未图示的旋转驱动机构而旋转；安装座423，其安装在该主轴422的下端；以及磨削磨轮424，其安装在该安装座423的下表面上。该磨削磨轮424由圆环状的基台425和呈环状地安装在该基台425的下表面上的磨削磨具426构成，基台425通过紧固螺栓427而安装在安装座423的下表面上。

要想使用上述磨削装置4来实施上述背面磨削工序，则如图3的(a)所示，将实施了上述保护部件粘接工序的半导体晶片2的保护部件3侧载置在卡盘工作台41的上表面(保持面)上。然后，通过使未图示的吸引单元动作而隔着保护部件3将半导体晶片2吸引保持在卡盘工作台41上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盘工作台41上的半导体晶片2的基板20的背面20b成为上侧。这样，在隔着保护部件3将半导体晶片2吸引保持在卡盘工作台41上之后，一边使卡盘工作台41按照图3的(a)中箭头41a所示的方向以例如300rpm旋转，一边使磨削单元42的磨削磨轮424按照图3的(a)中箭头424a所示的方向以例如6000rpm旋转，如图3的(b)所示，使磨削磨具426与作为被加工面的构成半导体晶片2的基板20的背面20b接触，并使磨削磨轮424如图3的(a)和(b)中箭头424b所示以例如1μm/秒的磨削进给速度朝向下方(与卡盘工作台41的保持面垂直的方向)磨削进给规定的量。其结果是，对构成半导体晶片2的基板20的背面20b进行磨削而使半导体晶片2形成为规定的厚度。另外，在本实施方式中，基板20的厚度设定为100μm，因此，半导体晶片2的厚度形成为加上功能层21的厚度(10μm)的110μm。

在实施了上述的背面磨削工序之后，实施分割槽形成工序，将切削刀具从构成半导体晶片2的基板20的背面20b侧定位在与分割预定线22对应的区域而残留出不到达功能层的基板的一部分而形成分割槽。使用图4所示的切削装置5来实施该分割槽形成工序。图4所示的切削装置5具有：作为被加工物保持单元的卡盘工作台51，其对被加工物进行保持；切削单元52，其对保持在作为该卡盘工作台51的上表面的保持面上的被加工物进行切削；以及拍摄单元53，其对保持在该卡盘工作台51上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台51构成为对被加工物进行吸引保持，通过未图示的加工进给单元在图4中箭头x所示的加工进给方向上移动，并且通过未图示的分度进给单元在箭头y所示的分度进给方向上移动。

上述切削单元52包含：实质上水平配置的主轴外壳521；主轴522，其以自由旋转的方式被该主轴外壳521支承；以及切削刀具523，其安装在该主轴522的前端部，主轴522通过配设在主轴外壳521内的未图示的伺服电动机而按照箭头523a所示的方向旋转。切削刀具523由圆盘状的由铝形成的基台524和安装在该基台524的侧表面外周部的环状的切削刃525构成。环状的切削刃525由电铸刀具构成，在本实施方式中形成为厚度为30μm且外径为50mm，其中，该电铸刀具是通过镀镍将粒径为3～4μm的金刚石磨粒固定在基台524的侧面外周部。

上述拍摄单元53被安装在主轴外壳521的前端部，在本实施方式中，上述拍摄单元53除了通过可视光线来进行拍摄的通常的拍摄元件(ccd)之外，还包括：红外线照明单元，其对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉由该红外线照明单元照射的红外线；以及拍摄元件(红外线ccd)等，其输出与被该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号，拍摄单元53将拍摄得到的图像信号发送至未图示的控制单元。

要想使用上述的切削装置5来实施分割槽形成工序，则如图4所示，将实施了上述保护部件粘接工序的半导体晶片2的保护部件3侧载置到作为卡盘工作台51的上表面的保持面上。然后，通过未图示的吸引单元隔着保护部件3将半导体晶片2吸附保持在卡盘工作台51上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盘工作台51上的半导体晶片2的基板20的背面20b成为上侧。这样，通过未图示的加工进给单元将对半导体晶片2进行吸引保持的卡盘工作台51定位在拍摄单元53的正下方。

当卡盘工作台51被定位在拍摄单元53的正下方时，执行如下的校准工序：通过拍摄单元53和未图示的控制单元对半导体晶片2的待切削区域进行检测。即，拍摄单元53和未图示的控制单元执行图案匹配等图像处理，并执行基于切削刀具523的切削区域的校准(校准工序)，其中，该图案匹配等图像处理用于进行与形成在半导体晶片2的第1方向上的分割预定线22对应的区域与切削刀具523的位置对准。并且，在半导体晶片2上对与形成在相对于上述第1方向垂直的方向上的分割预定线22对应的区域也同样执行基于切削刀具523的切削位置的校准。此时，虽然半导体晶片2的形成有分割预定线22的功能层21的正面位于下侧，但由于拍摄单元53如上述那样具有由红外线照明单元、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的拍摄元件(红外线ccd)等构成的拍摄单元，所以能够从构成晶片的基板20的背面20b透过而对分割预定线22进行拍摄。

如以上所述那样，在对与保持在卡盘工作台51上的半导体晶片2的分割预定线22对应的区域进行检测并进行了切削区域的校准之后，将保持了半导体晶片2的卡盘工作台51移动至切削区域的切削开始位置。此时，如图5的(a)所示，半导体晶片2被定位成与待切削的分割预定线22对应的区域的一端(图5的(a)中的左端)位于比切削刀具523的正下方以规定的量靠右侧的位置。

这样，在将卡盘工作台51即半导体晶片2定位在切削加工区域的切削开始位置之后，从图5的(a)中双点划线所示的待机位置按照箭头z1所示朝向下方对切削刀具523进行切入进给，并如图5的(a)中实线所示的那样定位在规定的切入深度位置。该切入深度位置被设定成如图5的(a)和图5的(c)所示、切削刀具523的下端不到达构成半导体晶片2的功能层21的位置(例如，为了距功能层残留出10～5μm而位于距基板20的背面20b90～95μm的位置)。

接着，使切削刀具523按照图5的(a)中箭头523a所示的方向以规定的旋转速度旋转，并使卡盘工作台51按照图5的(a)中箭头x1所示的方向以规定的切削进给速度移动。然后，如图5的(b)所示，当卡盘工作台51到达了与分割预定线22对应的位置的另一端(图5的(b)中的右端)位于比切削刀具523的正下方以规定的量靠左侧的位置之后，停止卡盘工作台51的移动。通过对这样卡盘工作台51进行切削进给，如图5的(d)所示，在半导体晶片2的基板20上从背面20b起在正面20a侧残留出一部分201而形成分割槽24(分割槽形成工序)。

接着，使切削刀具523按照图5的(b)中箭头z2所示的那样上升而定位在双点划线所示的待机位置，使卡盘工作台51按照图5的(b)中箭头x2所示的方向移动而返回到图5的(a)中所示的位置。然后，在与纸面垂直的方向(分度进给方向)上按照与分割预定线22的间隔相当的量对卡盘工作台51进行分度进给，并将接下来与待切削的分割预定线22对应的区域定位在与切削刀具523对应的位置。这样，在将接下来与待切削的分割预定线22对应的区域定位在与切削刀具523对应的位置之后，实施上述的分割槽形成工序。

另外，例如按照以下的加工条件来进行上述分割槽形成工序。

切削刀具：外径50mm、厚度20μm

切削刀具的旋转速度：20000rpm

切削进给速度：50mm/秒

在半导体晶片2上在与形成于第1方向的全部的分割预定线22对应的区域内实施了上述的分割槽形成工序之后，将卡盘工作台51转动90度而沿着分割预定线23实施上述分割槽形成工序，该分割预定线23在与形成于上述第1方向的分割预定线22垂直的方向上延伸。

如上述那样，在实施了分割槽形成工序之后，实施晶片分割工序，从构成半导体晶片2的基板20的背面侧沿着分割槽24的底部照射对于基板20和功能层21具有吸收性的波长的激光光线，将残留的基板20的一部分和功能层21切断。使用图6所示的激光加工装置6来实施该晶片分割工序。图6所示的激光加工装置6具有：作为被加工物保持单元的卡盘工作台61，其对被加工物进行保持；激光光线照射单元62，其对保持在作为该卡盘工作台61的上表面的保持面上的被加工物照射激光光线；以及拍摄单元63，其对保持在卡盘工作台61上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台61构成为对被加工物进行吸引保持，并通过未图示的移动机构在图6中箭头x所示的加工进给方向和箭头y所示的分度进给方向上移动。

上述激光光线照射单元62从安装在实质上水平配置的圆筒形状的壳体621的前端的聚光器622照射脉冲激光光线。并且，安装在构成上述激光光线照射单元62的壳体621的前端部的拍摄单元63具有：照明单元，其对被加工物进行照明；光学系统，其捕捉由该照明单元照明的区域；以及拍摄元件(ccd)等，其对由该光学系统捕捉到的像进行拍摄，拍摄单元63将拍摄得到的图像信号发送至未图示的控制单元。

参照图6和图7对使用上述的激光加工装置6来实施的晶片分割工序进行说明。关于该晶片分割工序，首先，将实施了上述分割槽形成工序的半导体晶片2的保护部件3侧载置在作为图6所示的激光加工装置6的卡盘工作台61的上表面的保持面上。然后，通过未图示的吸引单元隔着保护部件3将半导体晶片2吸引保持在卡盘工作台61上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盘工作台61上的半导体晶片2的基板20的背面20b成为上侧。这样，通过未图示的加工进给单元将对半导体晶片2进行吸引保持的卡盘工作台61定位在拍摄单元53的正下方。

当将卡盘工作台61定位在拍摄单元63的正下方时，执行如下的校准作业：通过拍摄单元63和未图示的控制单元对半导体晶片2的待激光加工的加工区域进行检测。即，拍摄单元63和未图示的控制单元执行图案匹配等图像处理，并执行激光光线照射位置的校准(校准工序)，其中，该图案匹配等图像处理用于进行从构成半导体晶片2的基板20的背面20b侧在第1方向上形成的分割槽24与沿着该分割槽24照射激光光线的激光光线照射单元62的聚光器622的位置对准。并且，在半导体晶片2上对形成在与上述第1方向垂直的方向上的分割槽24也同样执行激光光线照射位置的校准。

在实施了上述的校准工序之后，如图7的(a)所示，将卡盘工作台61移动至照射激光光线的激光光线照射单元62的聚光器622所位于的激光光线照射区域内，并将规定的分割槽24定位在聚光器622的正下方。此时，如图7的(a)所示，半导体晶片2被定位成分割槽24的一端(图7的(a)中的左端)位于聚光器622的正下方。然后，如图7的(c)所示，将从聚光器622照射的脉冲激光光线lb的聚光点p对准分割槽24的底面附近。接着，一边从激光光线照射单元62的聚光器622照射对于基板20和功能层21具有吸收性的波长的脉冲激光光线，一边使卡盘工作台61按照图7的(a)中箭头x1所示的方向以规定的加工进给速度移动。然后，如图7的(b)所示，在分割槽24的另一端(图7的(b)中的右端)到达聚光器622的正下方位置之后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台61的移动(晶片分割工序)。

通过实施上述的晶片分割工序，如图7的(d)所示，在半导体晶片2上，在上述分割槽形成工序中所残留的基板20的一部分201和功能层21中形成有激光加工槽25。其结果是，通过激光加工槽25将上述分割槽形成工序中所残留的基板20的一部分201和功能层21切断。

接着，使卡盘工作台61在与纸面垂直的方向(分度进给方向)上按照分割槽24的间隔(相当于分割预定线22的间隔)移动。然后，一边从激光光线照射单元62的聚光器622照射脉冲激光光线，一边使卡盘工作台61按照图7的(b)中箭头x2所示的方向以规定的加工进给速度移动，在到达图7的(a)中所示的位置之后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台61的移动。通过实施这样晶片分割工序，如图7的(d)所示，在半导体晶片2上，在上述分割槽形成工序中所残留的基板20的一部分201和功能层21中形成激光加工槽25，通过激光加工槽25将上述分割槽形成工序中所残留的基板20的一部分201和功能层21切断。

另外，例如以如下的方式对在上述晶片分割工序中的加工条件进行设定。

光源：yag脉冲激光

波长：355nm

重复频率：20khz

平均输出：2w

聚光光斑直径：φ8μm

聚光透镜的na：0.05

加工进给速度：100mm/秒

如上述那样，在沿着形成于第1方向的全部的分割槽24实施了上述晶片分割工序之后，将卡盘工作台61转动90度而沿着分割槽24实施上述晶片分割工序，其中，该分割槽24在与形成于上述第1方向的分割槽24垂直的方向上延伸。其结果是，在构成半导体晶片2的基板20和功能层21中沿着分割预定线22形成到达保护部件3的激光加工槽25，半导体晶片2被分割成各个图像传感器23。

关于上述的晶片分割工序，由于将实施了上述分割槽形成工序的半导体晶片2的保护部件3侧保持在作为激光加工装置6的卡盘工作台61的上表面的保持面上，并从构成半导体晶片2的基板20的背面侧沿着分割槽24的底部照射对于基板20和功能层21具有吸收性的波长的激光光线，形成到达保护部件3的激光加工槽25，所以即使较大的碎屑飞散，也不会落在形成于半导体晶片2的正面的图像传感器23上，不会对构成图像传感器23的纤细的像素造成损伤，解决了图像传感器的品质降低的问题。

并且，上述的晶片分割工序中，由于通过在上述分割槽形成工序中所残留的基板20的一部分201和功能层21中形成激光加工槽25来进行切断，所以所切断的厚度薄到15～20μm(功能层10μm+(5～10)μm)，因此能够通过激光光线的照射来完全切断。

进而，由于上述的晶片分割工序不需要像以往的技术那样形成两条宽度超过形成上述分割槽24的切削刀具523的宽度的激光加工槽，所以能够使分割预定线的宽度变窄，能够增加在1张晶片中能够形成的图像传感器的量并能够实现生产性的提高。

接着，实施晶片支承工序，将实施了晶片分割工序的构成半导体晶片2的基板20的背面粘接在粘合带的正面上并且将粘接在半导体晶片2的正面上的保护部件3剥离，该粘合带的外周部以覆盖环状的框架的内侧开口部的方式安装。即，如图8的(a)所示，将构成半导体晶片2的基板20的背面20b粘接在粘合带70的正面上，并如图8的(b)所示将粘接在构成半导体晶片2的功能层21的正面上的保护部件3剥离，该粘合带70的外周部以覆盖环状的框架7的内侧开口部的方式安装。因此，关于粘接在粘合带70的正面上的半导体晶片2，如图8的(b)所示，构成半导体晶片2的功能层21的正面21a成为上侧。另外，关于粘合带70，在例如厚度为100μm的聚乙烯膜的正面上涂布粘合剂。另外，在图8的(a)和(b)中所示的实施方式中，虽然示出了将构成半导体晶片2的基板20的背面粘接在外周部被安装于环状的框架7的粘合带70的正面上的例子，但也可以将粘合带70粘接在构成半导体晶片2的基板20的背面并且将粘合带70的外周部同时安装在环状的框架7上。

在实施了上述的晶片支承工序之后，实施拾取工序，对从粘接在粘合带70上的半导体晶片2被一个个地分割出的各个图像传感器23进行拾取。使用图9所示的拾取装置8来实施该拾取工序。图9所示的拾取装置8具有：框架保持单元81，其对上述环状的框架7进行保持；带扩展单元82，其对安装在环状的框架7上粘合带70进行扩展，该环状的框架7被保持在该框架保持单元81上；以及拾取夹头83。框架保持单元81包含：环状的框架保持部件811；以及作为固定单元的多个夹具812，它们配设在该框架保持部件811的外周。框架保持部件811的上表面形成对环状的框架7进行载置的载置面811a，在该载置面811a上载置有环状的框架7。然后，载置在载置面811a上的环状的框架7通过夹具812而固定在框架保持部件811上。这样构成的框架保持单元81以能够在上下方向进退的方式被带扩展单元82支承。

带扩展单元82具有配设在上述环状的框架保持部件811的内侧的扩展鼓821。该扩展鼓821具有比环状的框架7的内径小并比半导体晶片2的外径大的内径和外径，其中，该半导体晶片2粘接在粘合带70上，该粘合带70安装在该环状的框架7上。并且，在扩展鼓821的下端具有支承凸缘822。本实施方式中的带扩展单元82具有能够使上述环状的框架保持部件811在上下方向上进退的支承单元823。该支承单元823由配设在上述支承凸缘822上的多个气缸823a构成，其活塞杆823b与上述环状的框架保持部件811的下表面连结。这样由多个气缸823a构成的支承单元823使环状的框架保持部件811在基准位置与扩展位置之间在上下方向上移动，其中，基准位置是如图10的(a)所示、载置面811a与扩展鼓821的上端大致相同高度的位置，该扩展位置是如图10的(b)所示、载置面811a与扩展鼓821的上端相比以规定的量位于下方的位置。

参照图10对使用由以上方式构成的拾取装置8来实施的拾取工序进行说明。即，如图10的(a)所示，将环状的框架7载置在构成框架保持单元81的框架保持部件811的载置面811a上，并通过夹具812固定在框架保持部件811上(框架保持工序)，其中，在环状的框架7上安装有粘合带70，在该粘合带70上粘接有被分割成各个图像传感器23的半导体晶片2。此时，框架保持部件811被定位在图10的(a)所示的基准位置。接着，使作为构成带扩展单元82的支承单元823的多个气缸823a动作而使环状的框架保持部件811下降到图10的(b)所示的扩展位置。因此，如图10的(b)所示，由于固定在框架保持部件811的载置面811a上的环状的框架7也下降，所以安装在环状的框架7上的粘合带70与扩展鼓821的上端缘接触而被扩展(带扩展工序)。其结果是，由于对粘接在粘合带70上的半导体晶片2呈放射状地作用拉力，所以半导体晶片2被分离成各个图像传感器23并且在图像传感器23之间形成有间隔s。并且，当对粘接在环状的框架7上的半导体晶片2作用放射状的拉力时，半导体晶片2被分离成各个图像传感器23并且在图像传感器23之间形成有间隔s。

接着，如图10的(c)所示，使拾取夹头83动作而对图像传感器23进行吸附，将图像传感器23从粘合带70剥离而进行拾取，并搬送到未图示的托盘或芯片接合工序中。另外，在拾取工序中，如上述那样，由于粘接在粘合带70上的各个图像传感器23之间的间隙s被扩大，所以不会与相邻的图像传感器23接触而能够容易地进行拾取。