发光器件封装和具有该发光器件封装的照明装置的制作方法

本公开实施例涉及一种发光器件封装和具有该发光器件封装的照明装置。

背景技术：

发光器件是一种将电能转换成光的半导体器件，且作为取代传统荧光灯、白炽灯等的下一代光源而受到关注。

由于发光二极管使用半导体器件产生光，因而与通过加热钨丝产生光的白炽灯或者通过将经高压放电产生的紫外线撞击在荧光物质上来产生光的荧光灯相比，发光二极管仅消耗非常低的功率。

另外，由于发光二极管使用半导体器件的位势差产生光，因而与传统光源相比，发光二极管具有较长的使用寿命、快速响应性和环境友好特性。

据此，进行了许多用发光二极管替代传统光源的研究，并且发光二极管已越来越多地用作照明装置的光源，所述照明装置诸如为室内和室外使用的各种灯、液晶显示设备、广告牌和路灯。

技术实现要素：

本公开实施例提供一种能够提高光提取效率的发光器件封装和具有该发光器件封装的照明装置。

本公开实施例提供一种能够提高光通量的发光器件封装和具有该发光器件封装的照明装置。

根据一实施例，该发光器件封装包括：第一引线框；第二引线框，与第一引线框间隔开；主体，耦合至第一引线框和第二引线框，并包括第一空腔，暴露第一引线框的上表面的一部分，第二空腔，暴露第二引线框的上表面的一部分，以及间隔件，布置在第一引线框与第二引线框之间；至少一个发光器件，布置在第一空腔中；以及保护器件，布置在第二空腔中。第二空腔可以布置在第一空腔的第一内表面上，第一内表面可以连接至间隔件的上表面。第一空腔的底面的面积可以等于或小于主体的整个面积的40％。

根据该实施例，发光器件封装包括：第一空腔，暴露第一引线框，发光器件安装在第一引线框上；以及第二空腔，暴露第二引线框，保护器件安装在第二引线框上，暴露的第一引线框的面积的范围在主体的整个面积的20％和40％之间。因此，该实施例能够改善吸收到第一引线框的光的损失。

另外，在该实施例的发光器件封装中，暴露的第二引线框的面积的范围在主体的整个面积的3％和10％之间。因此，该实施例能够使光的损失最小化。

另外，在该实施例的发光器件封装中，第二空腔的第五内表面的曲率半径r的范围在0.1mm和0.3mm之间。因此，该实施例能够通过改善从发光器件发射的光的全反射来提高光提取效率。

另外，在根据另一个实施例的发光器件封装中，覆盖保护器件的反射模制部布置在第二空腔中，因而反射提供到保护器件并且损失的光。因此，该实施例能够进一步提高光提取效率。

另外，在根据另一个实施例的发光器件封装中，布置在保护器件上的反射模制部可以延伸到保护器件的导线接合部，保护器件位于其上布置有发光器件的第一空腔的底面上。因此，另一个实施例能够通过减小从第一空腔暴露的引线框的面积并且通过反射被导线接合部和导线损耗的光来进一步提高光提取效率。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的立体图。

图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的平面图。

图3是示出根据第一实施例的第一引线框和第二引线框的上部的立体图。

图4是示出根据第一实施例的第一引线框和第二引线框的下部的立体图。

图5是示出根据第一实施例的第一引线框和第二引线框的平面图。

图6是示出沿着图2的线i-i'的发光器件封装的剖视图。

图7是示出沿着图2的线ii-ii'的发光器件封装的剖视图。

图8是将比较示例中的光通量与第一实施例中的光通量进行比较的图表。

图9是示出根据第二实施例的发光器件封装的剖视图。

图10是示出根据第三实施例的发光器件封装的剖视图。

图11是示出根据第四实施例的发光器件封装的剖视图。

图12是示出根据第五实施例的发光器件封装的平面图。

图13至图22是示出具有反射模制部的另一些实施例的发光器件封装的平面图或剖视图。

图23是示出包括在根据一实施例的发光器件封装中的发光芯片的剖视图。

图24是示出包括在根据一实施例的发光器件封装中的发光芯片的另一示例的剖视图。

图25是示出包括根据一实施例的发光器件封装的显示设备的立体图。

图26是示出包括根据一实施例的发光器件封装的显示设备的另一示例的剖视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，在每个层(膜)、区域、图案或结构形成在衬底、每个层(膜)、区域、焊盘或图案“上面/上方”或“下面”的情况下，“上面/上方”或“下面”包括以下情况：每个层(膜)、区域、图案或结构“直接”形成在衬底、每个层(膜)、区域、焊盘或图案“上面/上方”或“下面”以及“另一个层插入它们之间(间接地)的方式”。

图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的立体图，图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的平面图。

图3是示出根据第一实施例的第一引线框和第二引线框的上部的立体图，图4是示出根据第一实施例的第一引线框和第二引线框的下部的立体图，以及图5是示出根据第一实施例的第一引线框和第二引线框的平面图。

图6是示出沿着图2的线i-i'的发光器件封装的剖视图，图7是示出沿着图2的线ii-ii'的发光器件封装的剖视图。

如图1至图7所示，根据第一实施例的发光器件封装110可以包括第一引线框170、第二引线框180、主体120、保护器件160以及第一发光器件151和第二发光器件153。

第一引线框170和第二引线框180可以在彼此间隔开固定距离的状态下耦合至主体120。第一发光器件151和第二发光器件153可以安装在第一引线框170上，保护器件160可以安装在第二引线框180上。第一引线框170的宽度可以大于第二引线框180的宽度，但不限于此。第一引线框170和第二框180可以包括导电材料。例如，第一引线框170和第二引线框180可以包括钛(ti)、铜(cu)、镍(ni)、金(au)、铬(cr)、钽(ta)、铂(pt)、锡(sn)、银(ag)、磷(p)、铁(fe)、锌(zn)和铝(al)中的至少之一，并且可以形成为单层或多层。

第一引线框170可以包括：上部表面170a，其上安装有第一发光器件151和第二发光器件153；以及下部表面170b，从主体120的下部暴露。第一引线框170的上部表面170a和下部表面170b可以是平坦表面。第一引线框170可以包括：第一凹陷部171，布置在第一引线框170的上部表面170a上；以及第一台阶部173，布置在第一引线框170的下部表面170b上。第一凹陷部171可以具有沿下部表面170b的方向从第一引线框170的上部表面170a凹入的形状。第一凹陷部171可以与上部表面170a的边缘相邻。第一凹陷部171可以具有环形形状或矩形条带形状，但不限于此。第一凹陷部171可以具有圆形形状，其边缘是弯曲的，但不限于此。第一凹陷部171可以通过增加与主体120的接触面积来提高与主体120的耦合力。另外，第一凹陷部171可以通过凹入结构防止外部水分渗入。第一凹陷部171可以通过蚀刻第一引线框170的上部表面170a的一部分来形成，但不限于此。第一凹陷部171的深度可以是第一引线框170的厚度的50％，但不限于此。例如，第一凹陷部171的深度可以等于或小于第一引线框170的厚度的50％。第一凹陷部171可以与第一台阶部173间隔开固定距离。换句话说，第一凹陷部171可以不包括与第一台阶部173竖直重叠的区域。

第一凹陷部171可以布置在第一空腔130的外侧，第一空腔130从主体120暴露第一引线框170的上部的一部分。第一凹陷部171可以布置在第一台阶部173的内侧。具体而言，第一凹陷部171可以布置在从第一引线框170的外表面起第一引线框170的短轴宽度的5％与30％之间的区域内。这里，第一引线框170的长轴是x-x'，第一引线框170的短轴是y-y'。

在第一凹陷部171布置在从第一引线框170的外表面起小于第一引线框170的5％短轴宽度的区域的情况下，第一凹陷部171由于减小第一台阶部173的宽度和面积而减小了与主体120的耦合力，因此，可能难以防止外部水分渗入。在第一凹陷部171布置在从第一引线框170的外表面起大于第一引线框170的30％短轴宽度的区域的情况下，第一凹陷部171由于将其一部分暴露于第一空腔130而减小了与主体120的耦合力，因此，可能难以防止外部水分渗入。例如，在第一引线框170的短轴宽度是1,920mm的情况下，第一凹陷部171可以布置在与第一引线框170的相邻外表面间隔开的区域中。

第一凹陷部171可以具有固定宽度。例如，第一凹陷部171具有的宽度可以是第一引线框170的短轴宽度的3％至15％。在第一凹陷部171的宽度等于或小于第一引线框170的短轴宽度的3％的情况下，第一凹陷部171由于减小与主体120的接触面积而减少了与主体120的耦合力，因而防止外部水分渗入可能较困难。在第一凹陷部171的宽度大于第一引线框170的短轴宽度的15％的情况下，第一引线框170的刚度可能降低。例如，在第一引线框170的短轴宽度是1,920mm的情况下，第一凹陷部171的宽度可以在50μm和290μm之间。

第一台阶部173可以布置在第一引线框170的下部表面170b的边缘上。第一台阶部173可以沿着第一引线框170的下部表面170b的边缘连接。第一台阶部173可以具有凹陷形状，并且其横截表面可以具有台阶结构，但不限于此。第一台阶部173可以通过增加与主体120的接触面积来提高与主体120的耦合力。另外，第一台阶部173可以通过台阶结构防止外部水分渗入。第一台阶部173可以通过蚀刻第一引线框170的下部表面170b的边缘的一部分而形成，但不限于此。第一台阶部173的厚度可以是第一引线框170的厚度的50％，然而不限于此。例如，第一台阶部173的厚度可以等于或大于第一引线框170的厚度的50％。第一台阶部173可以进一步布置得比第一凹陷部171更靠外侧。

第一引线框170可以包括沿向外方向突出的多个第一突出部177。第一凹陷部177可以沿向外方向与第一台阶部173间隔开。换句话说，第一突出部177的厚度可以比第一引线框170的厚度薄。每一个第一突出部177的水平宽度可以彼此不同，但不限于此。第一突出部177的端部可以从主体120的外表面向外暴露。即使附图中未示出，但第一引线框170和第二引线框180的多个单元通过以压力处理金属框(未示出)而被制作，然后在主体120的注入工艺之后可以从多个第一引线框170和多个第二引线框180彼此连接的状态中被分开。换句话说，由于进行将彼此连接的多个主体120耦合的注入工艺，因而多个第一引线框170和多个第二引线框180可以包括用于将多个第一引线框170和多个第二引线框180彼此连接的挂钩(hanger)(未示出)。在分离为第一引线框170和第二引线框180的多个单元的分离过程中，第一突出部177可以是连接至第一引线框170的挂钩的一部分。

第二引线框180可以包括：上部表面180a，其上安装有保护器件160；以及下部表面180b，其从主体120的下部暴露。第二引线框180的上部表面180a和下部表面180b可以是平坦表面。第二引线框180可以包括：第二凹陷部181，布置在第二引线框180的上部表面180a上；以及第二台阶部183，布置在第二引线框180的下部表面180b上。第二凹陷部181可以具有沿下部表面180b的方向从第二引线框180的上部表面180a凹入的形状。第二凹陷部181可以与第二引线框180的上部表面180a的边缘相邻。第二凹陷部181可以布置为沿第二引线框180的纵向方向平行。第二凹陷部181可以具有两个端部，这两个端部具有弯曲形状，但不限于此。第二凹陷部181可以包括两个端部，这两个端部具有彼此面对的弯曲形状，但不限于此。第二凹陷部181可以通过增大与主体120的接触面积提高与主体120的耦合力。另外，第二凹陷部181可以通过凹入结构防止外部水分渗入。第二凹陷部181可以通过蚀刻第二引线框180的上部表面180a的一部分来形成，但不限于此。第二凹陷部181的深度可以是第二引线框180的厚度的50％。然而，这不限于此。例如，第二凹陷部181的深度可以等于或小于第二引线框180的厚度的50％。第二凹陷部181可以与第二台阶部183间隔开固定距离。换句话说，第二凹陷部181可以不包括与第二台阶部183竖直重叠的区域。

第二凹陷部181可以布置在第二空腔140的外侧，第二空腔140从主体120暴露第二引线框180的上部的一部分。第二凹陷部181可以布置在第二台阶部183的内侧。具体而言，第二凹陷部181的两个端部181e可以布置在从第二引线框180的离第一引线框170最远的外表面起第二引线框180的短轴宽度的15％和85％之间的区域中。本文，第二引线框180的长轴是x-x'，第二引线框180的短轴是y-y'。

在第二凹陷部181所在的区域小于从第二引线框180的外表面起第二引线框180的15％短轴宽度的情况下，第二凹陷部181由于减小第二台阶部183的宽度和面积而减小了与主体120的耦合力，因此，可能难以防止外部水分渗入。在第二凹陷部181所在的区域大于从第二引线框180的外表面起第二引线框180的85％短轴宽度的情况下，第二凹陷部181的一部分暴露于第二空腔140，或者第二凹陷部181由于减小第二台阶部183的宽度和面积而减小了与主体120的耦合力，因此，可能难以防止外部水分渗入。例如，在第二引线框180的短轴宽度是0.680mm的情况下，第二凹陷部181的两个端部181e可以布置在与第二引线框180的离第一引线框170最远的外表面间隔开180μm至580μm的区域中。

第二凹陷部181可以包括固定宽度。例如，第二凹陷部181具有的宽度可以是从主体120起第二引线框180的短轴宽度的7％至43％。在第二凹陷部181的宽度小于第二引线框180的短轴宽度的7％的情况下，第二凹陷部181由于减小与主体120的接触面积而减小了与主体120的耦合力，因而可能难以防止外部水分渗入。在第二凹陷部181的宽度大于第二引线框180的短轴宽度的43％的情况下，因而，第二引线框180的刚度可能降低。例如，在第二引线框180的短轴宽度是0.680mm的情况下，第二凹陷部181的宽度可以在50μm和290μm之间。

第二凹陷部181围绕第二凹陷部181的中心部c沿着第二凹陷部181的长轴可以包括直线部1811、弯曲部181c和两个端部181e。弯曲部181c可以沿第二引线框180的短轴的第二方向y弯曲。弯曲部181c可以与直线部1811间隔开固定距离。弯曲部181c可以沿第二引线框180的长轴(x-x')方向布置在从第二凹陷部181的中心部c起第二凹陷部181的长轴长度或长轴的宽度的20％和80％之间。例如，弯曲部181c与直线部1811之间的边界区域181b可以沿第二引线框180的长轴(x-x')方向布置在从第二凹陷部181的中心部c起第二凹陷部181的20％和80％之间。

第二台阶部183可以布置在第二引线框180的下部表面180b的边缘上。第二台阶部183可以沿着第二引线框180的下部表面的边缘连接。第二台阶部183可以具有凹陷形状，并且其横截表面可以具有台阶结构，但不限于此。第二台阶部183可以通过增加与主体120的接触面积来提高与主体120的耦合力。另外，第二台阶部183可以通过台阶结构防止外部水分渗入。第二台阶部183可以通过蚀刻第二引线框180的下部表面180b的边缘的一部分而形成。然而，这不限于此。第二台阶部183的厚度可以是第二引线框180的厚度的50％，但不限于此。例如，第二台阶部183的厚度可以等于或大于第二引线框180的厚度的50％。第二台阶部183可以进一步布置得比第二凹陷部181更靠外侧。

第二引线框180可以包括沿向外方向突出的多个第二突出部187。第二突出部187可以沿向外方向从第二台阶部183突出。换句话说，第二突出部187的厚度可以比第二引线框180的厚度薄。每一个第二突出部187的水平宽度可以彼此不同，但不限于此。第二突出部187的端部可以从主体120的外表面向外暴露。在分离为第一引线框170和第二引线框180的单元的分离工艺中，第二突出部187可以是连接至第二引线框180的挂钩的一部分。

第一发光器件151和第二发光器件153可以布置在第一引线框170上。第一发光器件151和第二发光器件153可以布置在从主体120暴露的第一引线框170的上部表面上。即使根据实施例的第一发光器件151和第二发光器件153描述为两个彼此串联连接的构造，但不限于此。换言之，第一发光器件151和第二发光器件153可以是单个构造，可以配置为阵列形式，或者可以是至少三个构造。第一发光器件151和第二发光器件153可以通过导线w1连接，但不限于此。第一发光器件151和第二发光器件153彼此间隔开，并且第一发光器件151和第二发光器件153可以沿第一引线框170的对角线方向对称地布置在从主体120暴露的第一引线框170的上部表面上，但不限于此。

保护器件160可以布置在第二引线框180上。保护器件160可以布置在从主体120暴露的第二引线框180的上部表面上。保护器件160可以是齐纳二极管、晶闸管、瞬态抑制二极管(tvs)等，但不限于此。根据实施例的保护器件160举例描述了保护第一发光器件151和第二发光器件153免受静电放电(esd)影响的齐纳二极管。保护器件160可以通过导线w2连接至第一引线框170。

主体120可以包括半透明材料、反射材料和绝缘材料中的至少之一。主体120可以包括对于从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光，反射率比透射率高的材料。主体120可以是树脂基绝缘材料。例如，主体120可以由聚邻苯二甲酰胺(ppa)、诸如环氧树脂或硅树脂材料等树脂材料、硅(si)、金属材料、光敏玻璃(psg)、蓝宝石(al2o3)、印刷电路板(pcb)中的至少一种制成。主体120可以包括具有固定曲率的外表面或具有成角表面的外表面。例如，主体的平面图形状可以是圆形或多边形。以根据实施例的主体120是包括第一外表面121至第四外表面124的多边形举例说明。

主体120可以与第一引线框170和第二引线框180耦合。主体120可以包括暴露第一引线框170的上部的一部分的第一空腔130。

主体120可以包括布置在第一引线框170与第二引线框180之间的间隔件126。间隔件126可以布置在第一空腔130的底面上。间隔件126可以布置为与彼此面对的第一台阶部173和第二台阶部183平行。间隔件126可以与第一台阶部173和第二台阶部183直接接触。间隔件126可以由绝缘材料制成并且可以是主体120的一部分，但不限于此。间隔件126包括与第一台阶部173和第二台阶部183的台阶结构对应的台阶结构。换句话说，间隔件126的横截面可以具有沿水平方向对称的台阶结构。由于与第一引线框170和第二引线框180的接触面积因与第一台阶部173和第二台阶部183接触的台阶结构而增大，因而间隔件126可以提高耦合力。因此，实施例能够防止外部水分渗入。

第一空腔130可以包括暴露第一引线框170的底面，以及沿着暴露的第一引线框170的边缘设置的第一内表面131至第四内表面134。第一内表面131可以布置为面对第三内表面133。第二内表面132可以布置为面对第四内表面134。第一内表面131至第四内表面134可以布置为从主体120的底面倾斜。

暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积可以小于主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积的40％。例如，暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积可以在主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积的20％和40％之间。具体地，暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积可以在主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积的12％和26％之间。例如，在主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积可以是3.0mm×3.0mm的情况下，暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积可以在1.390mm×0.840mm和1.390mm×1.680mm之间。

通过使暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积的范围在主体120的整个面积的20％和40％之间，实施例能够改善吸收到第一引线框170中的光的损失，提高光提取效率，并且增加光通量。在第一空腔130的面积小于20％的情况下，由于用于安装第一发光器件151和第二发光器件153的空间的限制，因而在第一发光器件151和第二发光器件153的安装过程中可能产生问题。在第一空腔130的面积大于40％的情况下，由于第一内表面131至第四内表面134的面积减小，因而反射率会降低，并且由于第一引线框170的暴露面积增大而使第一发光器件151和第二发光器件153的光吸收到第一引线框170中造成的光损失，因而光提取会减少。

在该实施例中，第一空腔130的彼此面对的第一内表面131和第三内表面133对于第一引线框170的上表面可以具有彼此不同的倾斜角。第一内表面131的倾斜角θ1可以大于第三内表面133的倾斜角θ2，但不限于此。

实施例可以根据暴露于第一空腔130的底面的第一引线框的面积确定彼此面对的第一内表面131和第三内表面133的倾斜角θ1和倾斜角θ2。例如，在暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积增加为主体120的整个面积的20％和30％之间的情况下，第一内表面131的倾斜角θ1可以从160度减小到156度，第三内表面133的倾斜角θ2可以从140度减小到119度。

第二内表面132和第四内表面134对于第一引线框170的上表面可以具有彼此相同的倾斜角。第二内表面132的倾斜角θ3可以与第四内表面134的倾斜角θ4相同，但不限于此。

主体120可以包括暴露第二引线框180的上表面的一部分的第二空腔140。第二空腔140可以位于第一空腔130的第一内表面131上。第二空腔140能够通过第一内表面131暴露第二引线框180的上表面的一部分。例如，第一空腔140的平面图形状可以是圆形、椭圆形、多边形。暴露于第二空腔140的底面的第二引线框180的面积可以小于主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积的20％。例如，暴露于第二空腔140的底面的第二引线框180的面积可以在主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积的3％和20％之间。通过使暴露于第二空腔140的底面的第二引线框180的面积的范围在主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积的3％和20％之间，实施例能够改善吸收到第二引线框180中的光的损失，提高光提取效率，并且增加光通量。在第二空腔140的面积小于3％的情况下，由于用于安装保护器件160的空间的限制，因而在保护器件160的安装过程中可能产生问题。在第二空腔140的面积大于20％的情况下，光提取可能由于反射率的降低和光损失而减少。例如，在主体120的第一外表面121至第四外表面124所围成的面积可以是3.0mm×3.0mm的情况下，暴露于第二空腔140的底面的第二引线框180的面积可以在0.350mm×0.140mm以及2至1.390mm×1.680mm之间。

第二空腔140可以包括暴露第二引线框180的底面以及沿着暴露的第二引线框180的边缘设置的第五内表面141至第八内表面144。第五内表面141可以布置为面对第七内表面143。第五内表面141可以具有比第七内表面143的高度大的高度。第六内表面142可以布置为面对第八内表面144。

第五内表面141可以具有固定曲率半径r，使得第一内表面131上的从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光沿各个方向反射。例如，第五内表面141的曲率半径r可以处于0.1mm至0.3mm的范围。第五内表面141的曲率半径r能够通过提高从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光的全反射来提高光提取效率。在第五内表面141的曲率半径r小于0.1mm的情况下，从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光由于被临界角全反射而产生光损失。在第五内表面141的曲率半径r大于0.3mm的情况下，由于对主体120的厚度和高度的限制，可能在制造工艺中产生问题。

第六内表面142至第八内表面144可以具有固定曲率半径，但不限于此。例如，第六内表面142至第八内表面144可以仅在与第一内表面131的边界区域具有曲率半径，并且也可以具有与第五内表面141的曲率半径对应的曲率半径。另外，第六内表面141和第八内表面144的曲率半径可以彼此不同。

边界部131a可以布置在第二空腔140与从第一空腔130暴露的第一引线框170之间。边界部131a可以布置在第一内表面131中。边界部131a可以与第二空腔140的第七内表面143连接。边界部131a可以布置在间隔件126上。边界部131a可以与间隔件126竖直重叠。

边界部131a可以具有高度h，使得其面对保护器件160的内侧高于保护器件160。由于边界部131a的面对保护器件160的内侧具有的高度h高于保护器件160的高度，因而从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光由于直接提供到保护器件160而损失的问题能够得到改善。例如，边界部131a的高度h可以在100μm和300μm之间，而保护器件160的高度可以小于100μm，但不限于此。在边界部131a的高度h大于300μm的情况下，将保护器件160和第一引线框170连接的导线w2的连接过程可能较困难。

根据第一实施例的发光器件封装110包括：第一空腔130，其暴露第一引线框170的上部表面，第一引线框170上安装有第一发光器件151和第二发光器件153；以及第二空腔140，其暴露第二引线框180的上部表面，第二引线框180上安装有保护器件160。暴露于第一空腔130的底面的第一引线框170的面积具有的范围在主体120的整个面积的20％和40％之间，因而可以防止吸收到第一引线框170中的光的损失。另外，在该实施例的发光器件封装110中，暴露于第二空腔140的底面的第二引线框180的面积具有的范围在主体120的整个面积的3％和10％之间，因而最小化由于第二空腔140造成的光损失。

在根据该实施例的发光器件封装110中，第二空腔140的第五内表面141的曲率半径r具有的范围在0.1mm和0.3mm之间。因此，通过改善从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光的全反射，可以提高光提取效率。

图8是将比较示例中的光通量与第一实施例中的光通量进行比较的图表。

如图8所示，与比较示例相比，在第一实施例中，光通量可以提高至少3.6％。

比较示例包括主体，该主体具有空腔和暴露于该腔的底面的第一引线框和第二引线框，并且该主体可以是这样的结构，其中第一引线框和第二引线框的暴露面积大于主体的整个面积的50％。

该实施例是适用图1至图7的技术特点的发光器件封装。

图9是示出根据第二实施例的发光器件封装的剖视图。

如图9所示，除了边界部231a之外，根据第二实施例的发光器件封装可以适用根据图1至图7的第一实施例的发光器件封装的技术特点。

边界部231a可以布置在第一内表面131中。边界部231a布置在间隔件126上，并且可以布置在与间隔件126接触的第一引线框170的上部表面170a的一部分上以及第二引线框180的上部表面180a的一部分上。边界部231a可以具有高于保护器件160的高度h。由于边界部231a具有的高度h高于保护器件160的高度，因而从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光由于直接提供到保护器件160而损失的问题能够得到改善。

边界部231a的沿短轴方向的一端可以布置为比间隔件126的沿短轴方向的一端更邻近第一发光器件151和第二发光器件153。边界部231a的沿短轴方向的另一端可以布置为比间隔件126的沿短轴方向的另一端更邻近保护器件160。

边界部231a沿短轴方向的宽度d1可以大于间隔件126沿短轴方向的宽度d2。边界部231a沿短轴方向的宽度d1可以等于或大于间隔件126的下表面沿短轴方向的宽度d2。边界部231a可以由绝缘材料制成并且可以是主体120的一部分，但不限于此。例如，边界部231a可以由与间隔件126的材料相同的材料制成。

通过覆盖间隔件126的边界部231a的结构增大与主体120的接触面积，根据第二实施例的发光器件封装可以提高与主体120的耦合力，并防止外部水分渗入。

图10是示出根据第三实施例的发光器件封装的剖视图。

如图10所示，除了边界部331a之外，根据第三实施例的发光器件封装可以适用根据图1至图7的第一实施例的发光器件封装的技术特点。

边界部331a可以布置在第一内表面131中。边界部331a布置在间隔件126上，并且可以布置在与间隔件126接触的第一引线框170的上部表面170a的一部分上以及第二引线框180的上部表面180a的一部分上。边界部331a可以具有高于保护器件160的高度h。由于边界部331a具有的高度h高于保护器件160的高度，因而从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光由于直接提供到保护器件160而损失的问题能够得到改善。

边界部331a可以覆盖间隔件126的上部表面。边界部331a沿短轴方向的宽度d1可以等于或小于间隔件126沿短轴方向的宽度d2。边界部331a沿短轴方向的宽度d1可以等于或小于间隔件126的下表面沿短轴方向的宽度d2。边界部331a可以由绝缘材料制成并且可以是主体120的一部分，但不限于此。例如，边界部331a可以由与间隔件126的材料相同的材料制成。

通过覆盖间隔件126的边界部331a的结构增大与主体120的接触面积，根据第三实施例的发光器件封装可以提高与主体120的耦合力，并防止外部水分渗入。

图11是示出根据第四实施例的发光器件封装的剖视图。

如图11所示，除了边界部431a之外，根据第四实施例的发光器件封装可以适用根据图1至图7的第一实施例的发光器件封装的技术特点。

边界部431a可以布置在第一内表面131中。边界部431a布置在间隔件126上，并且可以布置在与间隔件126接触的第二引线框180的上部表面180a的一部分上。这里，间隔件126的上部表面的一部分可以从边界部431a暴露。边界部431a可以不与第一引线框170的上部表面170a接触。边界部431a可以具有高于保护器件160的高度h。由于边界部431a具有的高度h高于保护器件160的高度，因而从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光由于直接提供到保护器件160而损失的问题能够得到改善。

边界部431a沿短轴方向的一端可以布置在间隔件126的上表面上。通过布置在间隔件126的上部表面上，边界部431a沿短轴方向的一端可以布置为比间隔件126沿短轴方向的相对的一端更远离第一发光器件151和第二发光器件153。边界部431a沿短轴方向的另一端可以布置为比间隔件126沿短轴方向的另一端更邻近保护器件160。

通过覆盖间隔件126的一部分的边界部431a的结构增大与主体120的接触面积，根据第四实施例的发光器件封装可以提高与主体120的耦合力，并防止外部水分渗入。

图12是示出根据第五实施例的发光器件封装的剖视图。

如图12所示，除了反射模制部190之外，根据第五实施例的发光器件封装可以适用根据图1至图7的第一实施例的发光器件封装的技术特点。

反射模制部190可以布置在第二空腔140中。反射模制部190可以覆盖保护器件160。反射模制部190的上部表面131a可以是比边界部131a的上部表面低的位置，但不限于此。例如，反射模制部190的上部表面可以是与边界部131a的上部表面位于同一平面的位置。反射模制部190的高度可以高于保护器件160的高度，但不限于此。反射模制部190的高度可以等于或小于边界部131a的高度，但不限于此。

反射模制部190可以包括绝缘材料或反射材料。反射模制部190可以由聚邻苯二甲酰胺(ppa)、聚对苯二甲酸-环己二甲酯(pct)、白色硅胶和白色环氧模塑料(白色emc)中的至少之一制成，但不限于此。

在根据第五实施例的发光器件封装中，覆盖保护器件160的反射模制部190布置在第二空腔140中，并反射吸收到保护器件160中的光，从而光提取效率能够进一步提高。

发光器件封装具有使第一发光器件151和第二发光器件153布置在第一空腔130上的结构。然而，这不限于此。换言之，发光器件封装具有将至少三个发光器件布置在第一空腔130上的结构。

图13至图22是示出具有反射模制部290a至290e的另一些实施例的发光器件封装的平面图或剖视图。

除了反射模制部290a至290e之外，根据图13至图22的发光器件封装可以适用根据图1至图7的第一实施例的发光器件封装的技术特点。

根据另一个实施例的发光器件封装可以提高光提取效率。为此，根据另一个实施例的发光器件封装可以包括反射模制部290a至290e。反射模制部290a至290e能够覆盖保护器件160、第一导线160w和导线接合部160a，但不限于此。例如，反射模制部290a至290e可以覆盖保护器件160和导线接合部160a并且覆盖第一导线160w的一部分。反射模制部290a至290e可以反射保护器件160、第一导线160w和导线接合部160a吸收的光，因此光提取效率可以提高。

此外，反射模制部290a至290e具有的反射率可以大于第一引线框170的反射率。反射模制部290a至290e延伸到暴露于第一空腔130的第一引线框170的上部表面170a，从而能够提高光提取效率。

参考图13至图15，根据第二实施例的反射模制部290a可以布置在第二空腔140上。反射模制部290a的一部分可以布置在从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a上。反射模制部290a可以延伸到第一空腔130的离第二空腔140最近的底面。

反射模制部290a可以覆盖其上布置有第二空腔140的第一内表面131的一部分。反射模制部290a可以沿着第二空腔140的外围的第一内表面131延伸到保护器件160的布置在第一空腔130的底面上的导线接合部160a。例如，反射模制部290a可以沿着第一内表面131布置在第二空腔140与第一空腔130之间。

这里，导线接合部160a可以布置在暴露于第一空腔130的离第二空腔140最近的底面的第一引线框170的上部表面170a上。

反射模制部290a的端部291可以布置在导线接合部160a与第一发光器件151和第二发光器件153之间。反射模制部290a的端部291可以从第一空腔130的第一内表面131与反射模制部290a的端部291之间的第一边界291a延伸到第一空腔131的底面。反射模制部290a的端部291可以从第一空腔130的第四内表面134与反射模制部290a的端部291之间的第二边界291b延伸到第一空腔130的底面。反射模制部290a的端部291可以包括位于第一边界291a与第二边界291b之间的第三边界291c。第三边界291c可以布置成与第二发光器件153的一个侧表面153s平行。这里，第二发光器件153的一个侧表面153s可以面向第一发光器件151。

反射模制部290a的位于第二边界291b与第三边界291c之间的端部291可以面向第一发光器件151的一个侧表面。这里，第一发光器件151的该一个侧表面可以面向其上布置有保护器件160的第一内表面131。

反射模制部290a的位于第一边界291a与第三边界291c之间的端部291可以面向第二发光器件153的一边缘，但不限于此。第二发光器件153的该边缘可以是面向保护器件160的边缘。

反射模制部290a的端部291沿与第一内表面131对应的第一方向x可以包括固定宽度。例如，反射模制部290a的端部291可以包括位于第一边界291a与第二边界291b之间的第一宽度w1以及位于第二边界291a与第三边界291c之间的第二宽度w2。这里，第一宽度w1可以定义为第一参考线r1与第二参考线r2之间的距离，第一参考线r1沿与第一方向x垂直的第二方向y从第一边界291a延伸，第二参考线r2沿第二方向y从第二边界291b延伸。第二宽度w2可以定义为第一参考线r1与第三参考线r3之间的距离，第三参考线r3沿第二方向y从第三边界291c延伸。

根据第二实施例的反射模制部290a可以包括第二宽度w2，第二宽度w2是第一宽度w1的三分之一或更少。通过第二宽度w2使第二发光器件153与反射模制部290a彼此间隔开固定距离，第二实施例能够改善由于第二发光器件153与反射模制部290a之间的接触引起的缺陷。根据第二实施例的反射模制部290a可以提供减小从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a的面积，并与第一发光器件151和第二发光器件153间隔开固定距离的结构。因此，根据第二实施例的反射模制部290a可以提高光提取效率，并改善可靠性。

第一发光器件151和第二发光器件153可以布置在第一空腔130中，并且可以包括分隔距离w3，分隔距离w3是与反射模制部290a间隔开固定距离。例如，分隔距离w3可以是第一空腔130的底面宽度的3.3％或更小。具体地，分隔距离w3可以在30μm和100μm之间。在分隔距离w3小于30μm的情况下，由于与第一发光器件151和第二发光器件153以及第一空腔130的内表面接触，光效率可能降低。另外，在分隔距离w3小于30μm的情况下，良品率会由于缺陷而降低。

在分隔距离w3大于100μm的情况下，由于从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a的面积增大，由于吸收到第一引线框170的上部表面170a中的光的损失，光提取效率可能会降低。

第一发光器件151和第二发光器件153与第一空腔130的第一内表面131间隔开的距离可以不同。在第二实施例中，导线接合部160a可以布置在第一发光器件151与第一空腔130的内表面之间。在第二实施例中，第一发光器件151与第一空腔130的第一内表面131之间的分隔距离可以大于第二发光器件153与第一空腔130的第一内表面131之间的分隔距离。

反射模制部290a可以包括绝缘材料或反射材料。反射模制部290a可以由聚邻苯二甲酰胺(ppa)、聚对苯二甲酸-环己二甲酯(pct)、白色硅胶和白色环氧模塑料(白色emc)中的至少之一制成，但不限于此。

根据使用喷嘴进行分配的方法，反射模制部290a可以形成在第一空腔130和第二空腔140的底面的一部分上，但不限于此。

参考图13至图17，边界部131a可以布置在第二空腔140与从第一空腔130暴露的第一引线框170之间。边界部131a可以布置在第二空腔130的第一内表面131中。

第一内表面131的倾斜角θ1可以根据布置在间隔件126上的边界部131a的位置而改变。例如，在边界部131a覆盖整个间隔件126的情况下，第一内表面131可以包括在间隔件126的上表面与第一内表面131之间的第一倾斜角θ1-1。另外，在边界部131a覆盖间隔件126的一部分的情况下，第一内表面131可以包括在间隔件126的上表面与第一内表面131之间的第二倾斜角θ1-2。根据该实施例的第一内表面131可以包括小于第二倾斜角θ1-2的第一倾斜角θ1-1。具体地，在根据该实施例的发光器件封装具有小于第二倾斜角θ1-2的第一倾斜角θ1-1的情况下，位于间隔件126上的边界部131a的面积改变，并且从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a的面积可能会减小。因此，在根据该实施例的发光器件封装具有小于第二倾斜角θ1-2的第一倾斜角θ1-1的情况下，通过主体120遮隐第一引线框170和第二引线框180从而具有增大的高反射率，光提取效率能够得到提高。

参考图18，根据第三实施例的反射模制部290b可以布置在第二空腔140上。反射模制部290b的一部分可以布置在从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a上。反射模制部290b可以延伸到第一空腔130的离第二空腔140最近的底面。因此，根据第三实施例的反射模制部290b可以通过减小暴露于第一空腔130的第一引线框的上部表面170a的面积来提高光提取效率。

根据第三实施例的第一发光器件251和第二发光器件253与第一空腔130的第一内表面131间隔开的距离可以彼此相等。第一发光器件251和第二发光器件253可以包括分隔距离，该分隔距离是与第一空腔130的第二内表面至第四内表面132、133和134间隔开的固定距离。例如，该分隔距离可以是第一空腔130的底面宽度的3.3％或更小。该分隔距离可以适应图13至图15的技术特点。

反射模制部290b可以覆盖其上布置有第二空腔140的第一内表面131的一部分。反射模制部290b可以沿着第二空腔140的外围的第一内表面131延伸到保护器件160的布置在第一空腔130的底面上的导线接合部160a。例如，反射模制部290b可以沿着第一内表面131布置在第二空腔140与第一空腔130之间。

反射模制部290b的端部291可以布置在导线接合部160a与第一发光器件251和第二发光器件253之间。反射模制部290a的端部291以及第一边界291a至第三边界291c可以适应图13至图15的技术特点。另外，反射模制部290a的第一宽度w1和第二宽度w2、材料以及制造方法可以适应图13至图15的技术特点。

第一边界291a可以布置在第一空腔130的第一内表面131与第二内表面132之间。

第二空腔140可以包括：第一区域140a，其上安装有保护器件160；以及第二区域140b，用于导线接合第二发光器件253。第一区域140a和第二区域140b可以是彼此间隔开固定距离的空腔结构，但不限于此。

参考图19，根据第四实施例的反射模制部290c可以布置在第二空腔140上。反射模制部290c的一部分可以布置在从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a上。反射模制部290c可以延伸到第一空腔130的离第二空腔140最近的底面。因此，根据第四实施例的反射模制部290c可以通过减小暴露于第一空腔130的第一引线框的上部表面170a的面积来提高光提取效率。

在第四实施例中，发光器件350可以布置在第一空腔130中。发光器件350可以包括分隔距离w3，分隔距离w3是与第一空腔130的第一内表面131至第四内表面134间隔开的固定距离。例如，分隔距离w3可以是第一空腔130的底面宽度的3.3％或更小。该分隔距离可以适应图13至图18的技术特点。

反射模制部290c可以覆盖其上布置有第二空腔140的第一内表面131的一部分。反射模制部290c可以沿着第二空腔140的外围的第一内表面131延伸到保护器件160的布置在第一空腔130的底面上的导线接合部160a。例如，反射模制部290c可以沿着第一内表面131布置在第二空腔140与第一空腔130之间。

反射模制部290c的端部291可以布置在导线接合部160a与发光器件253之间。反射模制部290c的端部291以及第一边界291a至第三边界291c可以适应图13至图18的技术特点。另外，反射模制部290c的第一宽度w1和第二宽度w2、材料以及制造方法可以适应图13至图18的技术特点。

第一边界291a可以布置在第一空腔130的第一内表面131与第二内表面132之间。

保护器件160可以安装在第二空腔140上，并且第二空腔140可以包括发光器件350的导线接合部。然而，不限于此。

参考图20，根据第五实施例的反射模制部290d可以布置在第二空腔140上。反射模制部290d的一部分可以布置在从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a上。反射模制部290d可以延伸到第一空腔130的离第二空腔140最近的底面。因此，根据第五实施例的反射模制部290d可以通过减小暴露于第一空腔130的第一引线框的上部表面170a的面积来提高光提取效率。

根据第五实施例的发光器件350与第一空腔130之间的间隔距离以及发光器件350可以采用图19中的第四实施例的技术特点。

反射模制部290d可以覆盖其上布置有第二空腔140的第一内表面131的一部分。反射模制部290d可以沿着第二空腔140的外围的第一内表面131延伸到保护器件160的布置在第一空腔130的底面上的导线接合部160a。例如，反射模制部290d可以沿着第一内表面131布置在第二空腔140与第一空腔130之间。

反射模制部290d的端部291可以布置在导线接合部160a与发光器件253之间。反射模制部290d的端部291以及第一边界至第三边界可以适应图13至图19的技术特点。另外，反射模制部290d的第一宽度和第二宽度、材料以及制造方法可以适应图13至图19的技术特点。

在第五实施例中，间隔件的一部分可以从第一空腔130的第一内表面131暴露。例如，间隔件126可以在第一空腔130的第二内表面132与第二空腔140之间向外暴露。另外，在第五实施例中，第二引线框的上部表面180a的一部分可以从空腔130的第一内表面131向外暴露。发光器件350的导线接合部可以布置在暴露的第二引线框的上部表面180a中。

参考图21和图22，根据第六实施例的反射模制部290e可以布置在保护器件160和导线接合部160a上。反射模制部290e的一部分可以布置在从第一空腔130暴露的第一引线框170的上部表面170a上。反射模制部290e可以布置在从第二空腔140暴露的第二引线框180的上部表面180a上。反射模制部290e可以从第二引线框180的上部表面180a延伸到第一引线框170的其上布置有保护器件350的上部表面170a。根据第六实施例的反射模制部290e延伸到暴露于第一空腔130的第一引线框170的上部表面170a，因此能够提高光提取效率。

根据第六实施例的第一空腔130与发光器件350之间的分隔距离可以适应图19和图20的第四和第五实施例的技术特点。

反射模制部290e可以覆盖位于从第一空腔130暴露的第二引线框180的上部表面180a上的保护器件160并且可以覆盖布置在第一引线框170的上部表面170a的导线接合部160a。

反射模制部290e的端部291可以布置在导线接合部160a与发光器件253之间。反射模制部290e的端部291以及第一边界至第三边界可以适应图13至图20的技术特点。另外，反射模制部290e的第一宽度和第二宽度、材料以及制造方法可以适应图13至图20的技术特点。

在第六实施例中，间隔件126和第二引线框180的上部表面180a可以暴露于第一空腔130的底面。例如，间隔件126可以在反射模制部290e与第一空腔130的第二内表面132之间向外暴露。此外，在第六实施例中，发光器件350的导线接合部可以布置在暴露的第二引线框180的上部表面180a中。

反射模制部290e可以布置在间隔件126上。反射模制部290e可以沿竖直方向与间隔件126的一部分重叠。反射模制部290e可以与间隔件126的上部直接接触。

图23是示出包括在根据该实施例的发光器件封装中的发光芯片的剖视图。

如图23所示，发光芯片包括衬底511、缓冲层512、发光结构510、第一电极516和第二电极517。衬底511可以由透光材料或非透光材料制成，并且可以包括导电衬底或绝缘衬底。

缓冲层512减小了衬底512的材料与发光结构510的材料之间的晶格常数之差，并且可以由氮化物半导体构成。未掺杂有掺杂剂的氮化物半导体层进一步形成在缓冲层512与发光结构510之间，因此可以提高结晶质量。

发光结构510包括第一导电半导体层513、有源层514以及第二导电半导体层515。

例如，其可以由化合物半导体来实现，诸如第ii族-第iv族以及第iii族-第v族化合物半导体。第一导电半导体层513可以形成为单层或多层。第一导电半导体层513可以掺杂有第一导电掺杂剂。例如，在第一导电半导体层513是n型半导体层的情况下，它可以包括n型掺杂剂。例如，n型掺杂剂可以包括si、ge、sn、se和te，但不限于此。第一导电半导体层513可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第一导电半导体层513可以包括多个层的堆叠结构，该多个层包括诸如gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp等化合物半导体中的至少之一。

第一覆层可以形成在第一导电半导体层513与有源层514之间。覆层可以形成为gan基半导体，并且覆层的带隙可以等于或大于有源层514的带隙。该第一覆层可以是第一导电类型，并且可以具有约束载流子的能力。

有源层514布置在第一导电半导体层513上，并且可以选择性地包括单量子阱、多量子阱(mqw)、量子线结构或量子点结构。有源层514可以包括一阱层和势垒层周期。阱层可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，势垒层可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，该阱层和势垒层周期可以使用堆叠结构ingan/gan、gan/algan、ingan/algan、ingan/ingan以及inalgan/inalgan形成至少一个周期。势垒层可以由带隙高于阱层带隙的半导体材料形成。

第二导电半导体层515形成在有源层514上。第二导电半导体层515可以由化合物半导体来实现，诸如第ii族-第iv族以及第iii族-第v族化合物半导体。第二导电半导体层515可以形成为单层或多层。在第二导电半导体层515是p型半导体层的情况下，第二导电掺杂剂可以包括mg、zn、ca、sr、ba等作为p型掺杂剂。第二导电半导体层515可以掺杂有第二导电掺杂剂。第二导电半导体层515可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第二导电半导体层515可以由诸如gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp等化合物半导体中的任何一种制成。

第二导电半导体层515可以包括超晶格结构，并且超晶格结构可以包括ingan/gan超晶格结构或algan/gan超晶格结构。第二导电半导体层515的超晶格结构可以通过扩散电压中包括的异常电流来保护有源层514。

即使第一导电半导体层513描述为n型半导体层，第二导电半导体层515描述为p型半导体层，然而，第一导电半导体层513也可以描述为p型半导体层，第二导电半导体层515描述为n型半导体层，但不限于此。极性与第二导电类型的极性相反的半导体层，例如n型半导体层(未示出)，可以形成在第二导电半导体层515上。据此，发光结构510可以实现为n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的任何一种结构。

第一电极516布置在第一导电半导体层513上，并且具有电流扩散层的第二电极517包括在第二导电半导体层513上。

图24是示出包括在根据一实施例的发光器件封装中的发光芯片的另一示例的剖视图。如图24所示，另一示例的发光芯片参见图6。因此，将省略相同构造的说明。作为根据另一个示例的发光芯片，接触层521可以布置在发光结构510下面，反射层524可以布置在接触层521下面，支撑部件525可以布置在反射层524下面，并且保护层523可以围绕发光结构510和反射层524布置。

发光芯片可以被布置，而接触层521和保护层523、反射层524和支撑部件525位于第二导电半导体层515下面。

接触层521可以与发光结构510的下表面(例如，第二导电半导体层515)具有欧姆接触。接触层521可以从金属氮化物、绝缘材料以及导电材料中选择。例如，接触层521可以由包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、铟锌锡氧化物(izto)、铟铝锌氧化物(iazo)、铟镓锌氧化物(igzo)、铟镓锡氧化物(igto)、氧化铝锌(azo)、氧化锑锡(ato)、氧化镓锌(gzo)、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf及其选择性组合的材料形成。另外，接触层可以使用诸如izo、izto、iazo、igzo、igto、azo、ato等金属材料和透光导电材料形成为多层，并且可以用例如izo/ni、azo/ag、izo/ag/ni、azo/ag/ni进行堆叠。阻挡电流以对应于电极615的电流阻挡层可以进一步形成在接触层521中。

保护层523可以从金属氧化物和绝缘材料中选择。例如，保护层523可以选择性地由包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、铟锌锡氧化物(izto)、铟铝锌氧化物(iazo)、铟镓锌氧化物(igzo)、铟镓锡氧化物(igto)、氧化铝锌(azo)、氧化锑锡(ato)、氧化镓锌(gzo)、sio2、siox、sioxny、si3n4、al2o3和tio2的材料形成。保护层523可以通过使用溅射法、气相沉积法等形成。诸如反射层524等金属可以防止发光结构510的多个层发生短路。

反射层524可以包括金属。例如，反射层524可以由ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf及包括其选择性组合的材料形成。反射层524能够通过将其宽度形成为大于发光结构510的宽度来提高光反射效率。用于接合的金属层、用于热扩散的金属层可以进一步布置在反射层524与支撑部件525之间，但不限于此。

支撑部件525可以用诸如铜(cu)、金(au)、镍(ni)、钼(mo)、铜-钨(cu-w)等金属或者载体晶片(例如：si、ge、gaas、zno、sic)实现为基板。接合层可以进一步形成在支撑部件525与反射层524之间。

<照明系统>

图25是示出包括根据一实施例的发光器件封装的显示设备的立体图。

如图25所示，根据该实施例的显示装置1000可以包括：导光板1041；光源模块1031，向导光板1041提供光；反射部件1022，位于导光板1041下面；光学片1051，位于导光板1041上面；显示面板1061，位于光学片1051上面；以及底罩1011，容纳导光板1041、光源模块1031和反射部件1022，但不限于此。

底罩1011、反射部件1022、导光板1041以及光学片1051可以限定为照明单元1050。

导光板1041用于扩散光，因此是表面光源。导光板1041可以由透明材料制成，并且可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等丙烯酸树脂基材料、诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、环烯烃共聚物(coc)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等树脂中的一种。

光源模块1031将光提供到导光板1041的至少一个侧表面并且最终用作显示装置的光源。

可以设置至少一个光源模块1031并且至少一个光源模块1031可以从导光板1041的一侧表面直接或间接提供光。光源模块1031包括基板1033以及根据实施例的发光器件封装110，并且多个发光器件封装110可以以彼此间隔开固定距离的状态布置在基板1033上。

基板1033可以是包括电路图案(未示出)的印刷电路板(pcb)。然而，基板1033可以包括普通pcb以及金属芯pcb(mcpcb)、柔性pcb(fpcb)等，但不限于此。发光器件封装110可以直接布置在底罩1011的侧表面或散热板上。

反射部件1022可以布置在导光板1041下面。反射部件1022能够通过反射入射到导光板1041的下表面的光来提高照明单元1050的亮度。反射部件1022可以由例如pet、pc、pvc树脂等制成，但不限于此。

底罩1011可以容纳导光板1041、光源模块1031以及反射部件1022等。底罩1011可以包括箱体形状的容纳部1012，该箱体具有开放的上表面，但不限于此。底罩1011可以与顶罩耦合，但不限于此。

底罩1011可以由金属材料或者树脂材料制成，并且可以使用诸如模压成型、挤压成型等工艺来制造。另外，底罩1011可以包括具有良好导热性的金属材料或非金属材料，但不限于此。

作为例如lcd面板的显示面板1061可以包括彼此面对的透明第一基板和第二基板以及置于第一基板与第二基板之间的液晶层。偏振板可以布置在显示面板1061的至少一个表面上。显示面板1061通过穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以适用于各种类型的便携终端、笔记本电脑的显示器、膝上型电脑的显示器、电视等。

光学片1051可以布置在显示面板1061与导光板1041之间。光学片1051可以包括至少一个透明片。光学片1051可以包括扩散片、至少一个棱镜片、以及保护片中的至少之一。扩散片可以包括扩散入射光的功能。扩散片可以包括会聚入射到显示区域的光的功能。保护片可以包括保护棱镜片的功能。

<照明系统>

图26是示出包括根据一实施例的发光器件封装的显示设备的另一示例的剖视图。

如图26所示，另一个示例的显示装置1100可以包括：底罩1152；基板1120，其上安装有发光器件封装110；光学部件1154；以及显示面板1155。

基板1120和发光器件封装110可以限定为光源模块1160。底罩1152、至少一个光源模块1160以及光学部件1154可以限定为照明单元1150。底罩1152可以包括容纳部1153，但不限于此。光源模块1160可以包括衬底1120和布置在衬底1120上的多个发光器件封装110。

本文，光学部件1154可以包括透镜、扩散板、扩散片、棱镜片以及保护片中的至少之一。扩散板可以由pc材料或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)材料制成，并且扩散板可以被去除。扩散片可以扩散入射光，棱镜片可以会聚入射到显示区域的光，并且保护片可以保护棱镜片。

光学部件1154布置在光源模块1060上，使用从光源模块1060发射的光成为面光源，并且对从光源模块1060发射的光进行扩散、会聚等。

根据该实施例的发光器件封装110可以应用于显示设备以及照明单元、指示单元、电灯、路灯、车辆照明设备、车辆显示设备、智能手表等，但不限于此。

上述实施例中描述的特征、结构、效果等包括在至少一个实施例中，并且不一定限于仅一个实施例。另外，属于这些实施例的领域中的普通技术人员可以在其它实施例中结合或修改每个实施例中描述的特征、结构、效果等。因此，与这些组合和修改有关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。

参考上文实施例进行了描述，但仅是示例性的并且不限制这些实施例。属于这些实施例的领域中的普通技术人员可以理解，未在上述实施例中示出的各种修改和应用是可能的，而不脱离本实施例的必要特点。例如，可以修改和实施所述实施例中具体描述的每一个组件。与这些修改和应用有关的不同点应被解释为落入所附权利要求书阐述的实施例的范围内。