技术特征：
技术总结
本发明涉及一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构，包括以下特征：氮化鎵基异质结材料中的宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与窄禁带材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一P型区域被放置在阳极金属接触孔下外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，肖特基金属极(即阳极)与非P型区域外延层表面接触为肖特基接触，肖特基金属极内有一部分金属与P型区域的接触为欧姆接触，这接触能有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴而使得器件可以安全地被使用。
技术研发人员：黄升晖
受保护的技术使用者：南京励盛半导体科技有限公司
技术研发日：2016.10.17
技术公布日：2018.04.24