技术总结
本发明公开了一种CDM(Charged Device Model)保护电路结构，适用于集成电路中ESD(Electro‑Static Discharge)保护电路的设计。其特征为：可以提高射频电路中，射频信号输入端口的CDM保护能力，其主要为在第一级ESD保护电路中，使用对电源的双向低触发的ESD保护电路，同时使用对地的双向低触发的ESD保护电路。在第二级ESD保护电路中，使用对电源的双向低触发的ESD保护电路，同时使用对地的双向低触发的ESD保护电路，在CDM事件中，当射频信号输入端口接地，此电路可以有效泄放衬底中的静电电荷，起到CDM保护作用。
技术研发人员：孙磊;孙旭光;李志国
受保护的技术使用者：北京中电华大电子设计有限责任公司
文档号码：201611085720
技术研发日：2016.11.30
技术公布日：2017.05.31