技术特征：
技术总结
本发明公开了晶圆级芯片级封装及其形成方法，其中，所述晶圆级芯片级封装包括：半导体结构；在所述半导体结构上形成的第一焊盘；在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。本发明提供的晶圆级芯片级封装具有较小的尺寸。
技术研发人员：季彦良;熊明仁
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：2016.12.01
技术公布日：2017.08.08