技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一基底，该基底内定义有至少一存储器区域，其内包含有多个存储单元。该半导体元件还包含多个第一连接结构、多个第二连接结构、多个分别设置于该多个第二连接结构上的第一存储电极、以及多个分别设置于该多个第一连接结构上的虚设电极。该多个第一连接结构分别包含有一导电部分与一第一金属部分，该多个第二连接结构分别包含有该导电部分与一第二金属部分，该第一金属部分与该第二金属部分包含相同的材料，且该第一金属部分与该第二金属部分的高度不同。
技术研发人员：何建廷;冯立伟;王嫈乔;林裕杰
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2018.10.02