一种改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法与流程

文档序号:12683087阅读:938来源:国知局

本发明涉及电池领域技术,尤其是一种用于改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法。



背景技术:

目前业内采用铝塑膜作为外壳的软包方块锂电池,一般注液后均采用常温静置,然后化成的工艺,此生产步骤,由于常温下静置下的电池,电解液与负极石墨反应速度缓慢且不充分,电解液中的产气溶剂和添加剂残留量较多,化成成膜后,由于SEI保护膜的隔离作用,致使较多残留量的产气溶剂和添加剂与石墨分隔开,反应暂时停止,若后期遭受高温等冲击,电池SEI膜发生自解,保护隔离作用随之消失,则产气溶剂和添加剂与石墨再次接触,发生副反应继续产气,导致电池鼓包胀气。因此提出能够有效改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法是非常有必要的。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法,大大减少了电解液中产气溶剂和添加剂的残留量,最大程度地改善和抑制了后期SEI膜遭受热等冲击时,发生自解破损时,与石墨接触再次反应产气。

本发明通过如下技术手段实现上述目的:

一种改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法,包括如下步骤:

1)软包方块电池注液封口后,进行冷热整形平压;

2)电池进烘箱,40~100℃高温下静置4-24h;

3)出烘箱冷却;

4)上整形夹板;

5)化成:0.01C-0.2C,恒流充电至SOC达到50%-90%;

6)进老化房老化,40-45℃高温下静置18-48h;

7)去气封口。

进一步的,所述步骤2)中,电池进烘箱高温85℃下静置8h。

进一步的,所述步骤5)中,先0.01C充5%SOC,然后0.1C再充80%SOC,共计85%SOC。

进一步的,所述步骤6)中,电池化成后进老化房老化的温度为40℃,时间为16h。

与现有技术相比,本发明的一种改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法,通过软包方块电池注液封口后,先进烘箱,然后再化成,能大大减少了电解液中产气溶剂和添加剂的残留量,最大程度地改善和抑制了后期SEI膜遭受热等冲击时,发生自解破损时,与石墨接触再次反应产气,保证了产气溶剂和添加剂在化成之前,就被反应除尽。

附图说明

图1是本发明的步骤示意图。

具体实施方式

实施例:

请参阅图1,一种改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法;

包括如下步骤:

1)软包方块电池注液封口后,进行冷热整形平压;

通过步骤1),能够保证封口处贴合湿润。

2)电池进烘箱,40~100℃高温下静置4-24h;

通过步骤2)能够在成膜之前,通过高温的作用,使电解液中的产气溶剂和添加剂充分与负极石墨反应去除。

3)出烘箱冷却;

4)上整形夹板;

通过步骤4)能够保证电池内部正负极片彼此贴合紧密,便于后期化成形成

SEI膜的完整性和充分性。

5)化成:0.01C-0.2C,恒流充电至SOC达到50%-90%;

6)进老化房老化,40-45℃高温下静置18-48h;

通过老化时SEI膜的重整,

通过步骤5)能够进一步除去电解液中残留的极少量副反应时产气的溶剂和添加剂。

7)去气封口:将副反应生产的气体全部抽尽,从而得到耐高温的电池。

在上述步骤2)中,电池进烘箱高温40~100℃下静置4-24h,优选的方案为电池进烘箱高温85℃下静置8h;

在上述步骤5)中,0.01C-0.2C,恒流充电至SOC达到50%-90%化成制度,优选的方案为先0.01C充5%SOC,然后0.1C再充80%SOC,共计85%SOC;

在上述步骤6)中,电池化成后进老化房老化的温度为40℃,时间为16h。

其中:

采用铝塑膜作为外壳的软包方块锂电池,常规生产工艺,一般注液后均采用常温静置,然后化成的工艺,导致电解液中有较多产气溶剂和添加剂残留量存在,后期电池遭受高温等冲击时,电池SEI膜发生自解破损,残存产气溶剂和添加剂再次与负极石墨接触,发生副反应继续产气的隐患;本实施例通过软包方块电池注液封口后,先进烘箱,40~100℃高温下静置4-24h,在此高温下,率先让电解液中所含的易产气溶剂及添加剂,与负极石墨充分反应完全,达到最大限度尽除的目的,然后再化成,从而避免了后期成品电池遭受热等冲击时,SEI膜自解破损,有较多残留量产气溶剂和添加剂再与负极石墨发生反应的隐患发生。

与现有技术相比,本发明的一种改善软包方块锂离子电池高温存储产气量的方法,大大减少了电解液中产气溶剂和添加剂的残留量,最大程度地改善和抑制了后期SEI膜遭受热等冲击时,发生自解破损时,与石墨接触再次反应产气。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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