1.一种芯片级封装发光器件，包括LED外延片，所述LED外延片包括正电极、负电极和电极沟道，所述正电极和负电极位于同一平面，所述电极沟道位于正电极与负电极之间，其特征在于，还包括石墨烯层和荧光粉薄层，所述石墨烯层分布于LED外延片的下方并与之连接，所述荧光粉薄层位于石墨烯层下方并与之连接。
2.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件，其特征在于，所述石墨烯层为平面形状。
3.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件，其特征在于，所述LED外延片依次包n型层、量子阱层、p型层和正电极层，将LED外延片与石墨烯层连接时，使LED外延片的n型层直接与石墨烯层连接。
4.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为0.05mm~0.5mm，长宽均为2mm~3mm。
5.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件，其特征在于，所述荧光粉薄层选用Ce:YAG荧光粉材料与硅胶混合制成，通过喷涂方法喷涂于石墨烯层下方，其厚度为0.05mm~0.2mm。
6.根据权利要求5所述的一种芯片级封装发光器件，其特征在于，使用回流焊接炉对荧光粉薄层进行固化。
7.一种芯片级封装发光器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备LED外延片阵列：采用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长LED外延片阵列，然后用激光剥离技术将蓝宝石衬底全部剥离，使LED外延片的最底部是n型层；
采用离子体增强化学气相沉积法制造平面形状的石墨烯层阵列:将含碳的气态物质生成石墨烯薄膜，再用激光切割技术将石墨烯薄膜切割成平面形状的石墨烯层阵列；
选用Ce:YAG荧光粉材料与硅胶混合制成荧光粉，采用喷涂方法在石墨烯层阵列的背面喷涂荧光粉薄层阵列，并使用回流焊接炉对荧光粉薄层阵列进行固化；
利用银奖胶，采用固晶技术方法或键合技术方法，将LED外延片的 n型层直接与石墨烯薄层阵列连接，构成发光器件阵列；
采用激光切割方法将发光器件阵列切割成独立的发光器件。
8.根据权利要求7所述的一种芯片级封装发光器件的制造方法，其特征在于，所述LED外延片包括正电极、负电极和电极沟道，所述正电极和负电极位于同一平面，所述电极沟道位于正电极与负电极之间。
9.根据权利要求7所述的一种芯片级封装发光器件的制造方法，其特征在于，所述LED外延片依次包括n型层、量子阱层、p型层和正电极层。
10.根据权利要求7所述的一种芯片级封装发光器件的制造方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为0.05mm~0.5mm，长宽均为2mm~3mm，所述荧光粉薄层厚度为0.05mm~0.2mm。