技术总结
本实用新型提供半导体装置。半导体装置具备：配线基板(30)，具备绝缘性基板(31)以及配线层(35)，绝缘性基板具备第一主面即元件搭载面(30A)和与元件搭载面(30A)对置的第二主面即背面(30B)，配线层形成于背面(30B)，包括配线部(35C)与散热部(35H)；功率元件(10)，搭载在配线基板(30)的元件搭载面(30A)上，并且与配线部(35C)连接；间隔件(40)，夹装在功率元件(10)与配线基板(30)的元件搭载面(30A)之间，并且与背面侧散热部(35H)连接；以及散热器(20)，与间隔件(40)之间夹持功率元件(10)，并且被固定于间隔件(40)。
技术研发人员：菊川觉
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201620284765
技术研发日：2016.04.07
技术公布日：2016.12.28