1.一种静电放电装置，其特征在于：所述静电放电装置装置包括：
第一导电类型的半导体衬底；
所述第一导电类型的第一半导体区域，其中所述第一半导体区域基本上覆盖所述半导体衬底的全部；
第二导电类型的第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域和所述第一半导体区域一起形成齐纳二极管；
所述第二导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域设置在所述第一半导体区域的一部分上以及没置在所述第一掺杂区域的一部分上，其中所述第二半导体区域的峰值掺杂浓度小于所述半导体衬底的峰值掺杂浓度；
所述第一导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域设置在所述第二半导体区域中并覆于所述第一掺杂区域上，其中所述第二掺杂区域与所述第一半导体区域隔开至少两微米；
所述第二导电类型的第三掺杂区域，所述第三掺杂区域设置在所述第二半导体区域中并覆于所述第一半导体区域上，其中所述第三掺杂区域与所述第一半导体区域隔开至少两微米；
所述第一导电类型的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域设置在所述第二半导体区域中并覆于所述第三掺杂区域上，其中所述第三掺杂区域、所述第四掺杂区域与所述第一半导体区域一起形成P-N-P结；以及
第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽从所述第二半导体区域的顶面延伸并进入所述第一半导体区域，其中所述第一隔离沟槽围绕所述第二掺杂区域的外周界和所述第一掺杂区域的至少一部分，并且其中所述第一隔离沟槽不围绕所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域。
2.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述第一导电类型是P型导电性而所述第二导电类型是N型导电性。
3.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述P-N-P结具有约1V至约30V的集电极-发射极电压。
4.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述第二掺杂区域和所述第二半导体区域一起形成二极管，并且其中所述二极管的击穿电压大于所述P-N-P结的击穿电压。
5.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述半导体衬底的峰值掺杂浓度为至少约1×1019原子/cm3。
6.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述第一半导体区域的恒定掺杂浓度为约1×1016原子/cm3到约1×1020原子/cm3。
7.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述第二掺杂区域的峰值掺杂浓度为至少约1×1019原子/cm3。
8.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述第三掺杂区域的峰值掺杂浓度为至少约1×1019原子/cm3。
9.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：所述第四掺杂区域的峰值掺杂浓度为至少约1×1019原子/cm3。
10.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于：还包括施加到所述第二掺杂区域和所述第四掺杂区域的第一导体；以及施加到所述半导体衬底的底面的第二导体。