1.一种基于聚合物微球制备纳米级图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)选取蓝宝石衬底，在其表面蒸发或溅射一层高致密性二氧化硅层；
2)在步骤1)中的二氧化硅层上采用自组装方法形成单层紧密排列的聚合物微球阵列；
3)对步骤2)中的聚合物微球阵列进行干法刻蚀以减小微球的半径，形成非紧密规则排列的聚合物微球阵列；
4)以步骤3)中非紧密规则排列的聚合物微球阵列为掩模对二氧化硅层进行刻蚀，得到规则排列的二氧化硅纳米柱；
5)以步骤4)中的二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀，最后得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述二氧化硅层的厚度为200纳米～300纳米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述自组装方法包括旋涂自组装法、提拉自组装法、溶剂置换自组装法、气液界面法、蒸发自组装法和层层自组装法；所述聚合物为聚苯乙烯、聚二甲基硅氧烷和聚甲基丙烯酸甲酯。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述单层紧密排列的聚合物微球阵列的直径为2微米～5微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，所述干法刻蚀包括反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀及高密度等离子体刻蚀。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，所述非紧密规则排列的聚合物微球阵列的直径为1微米～2微米。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中，对二氧化硅层进行刻蚀包括湿法刻蚀和干法刻蚀，所述干法刻蚀包括反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀及高密度等离子体刻蚀。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中，所述规则排列的二氧化硅纳米柱的直径为500纳米～1000纳米。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)中，对蓝宝石衬底进行刻蚀包括湿法刻蚀和干法刻蚀。
10.一种根据权利要求1～9之任一项所述的方法制备得到的纳米级图形化蓝宝石衬底。
11.如权利要求10所述的纳米级图形化蓝宝石衬底在制备GaN基LED中的应用。