技术总结
本发明涉及Ⅲ族‑N纳米线晶体管。Ⅲ族‑N纳米线设置于衬底上。纵向长度的纳米线被限定在第一Ⅲ族‑N材料的沟道区中，源极区与沟道区的第一端电耦合，并且漏极区与沟道区的第二端电耦合。在第一Ⅲ族‑N材料上的第二Ⅲ族‑N材料用作纳米线表面上的电荷诱导层，和/或势垒层。栅极绝缘体和/或栅极导体在沟道区内完全同轴地环绕纳米线。漏极触点和源极触点可以类似地完全同轴地环绕漏极区和源极区。
技术研发人员：H·W·田;R·周;B·舒-金;G·杜威;J·卡瓦列罗斯;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇
受保护的技术使用者：英特尔公司
文档号码：201710025642
技术研发日：2011.12.19
技术公布日：2017.06.23