1.一种高击穿电压肖特基二极管，自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8)，钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)，环状金属阴极(1)的中间设有圆形金属阳极(2)，且环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7)，圆形金属阳极(2)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)形成肖特基接触，环状金属阴极(1)与硅离子注入区(7)形成欧姆接触，其特征在于：
Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6)，这些H+注入区的之间的间距随着远离肖特基接触区域依次增加，增加的范围为0.5μm～1.0μm，且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘，最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm；每个H+离子注入区域的浓度大于5×1018cm-3；每个H+注入区域的宽度为2-3μm；每个H+注入区的深度为20～50μm。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述第一个与第二个H+注入区域之间距离为0.3～0.5μm，第二个与第三个H+注入区域之间距离为0.8～1.5μm，第三个与第四个H+注入区域之间距离为1.3～2.5μm······，以此类推。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：
衬底材料包括蓝宝石、MgAl2O4、Ga2O3和MgO；
钝化层包括Si3N4、Al2O3、HfO2和HfSiO中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：
Ga2O3外延层的载流子浓度为1014cm-3～1016cm-3，厚度大于1μm；
低掺杂nGa2O3型薄膜的载流子浓度1017cm-3～1018cm-3,厚度大于100nm；
硅离子注入区的浓度大于2×1019cm-3，注入区的深度大于50nm。
5.高击穿电压肖特基二极管的器件结构的制作方法，包括如下步骤：
1)对在衬底上已经外延生长了Ga2O3层的样品进行有机清洗后，放入HF:H2O＝1:1的溶液中进行腐蚀30-60s，再用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；
2)将吹干后的样品放入PECVD设备中淀积厚度为50nm的SiO2掩膜；
3)将淀积完SiO2掩膜的样品进行光刻后，放入离子注入反应室中进行两次硅离子注入，将进行硅离子注入后样品放入退火炉中，在氮气气氛中进行温度为1000℃，时间为30分钟热退火，以对注入硅离子进行激活；
4)将完成硅离子激活的样品放入等离子体反应室中去除光刻胶掩膜；
5)将去除光刻胶掩膜的样品进行光刻后，放入电子束蒸发台中蒸发金属Ti/Au并进行剥离，其中金属Ti厚度为20-50nm，金属Au厚度为100-200nm，最后在氮气环境中进行温度为550℃，时间为60s的快速热退火，以形成阴极欧姆接触电极；
6)将完成阴极欧姆接触电极的样品进行光刻后，放入离子注入反应室中进行多个区域H+离子注入，注入能量为150keV，注入剂量为5×1014cm-2；离子注入后将样品放入退火炉中，在氮气气氛中进行400℃的5分钟热退火，消除注入对材料的损伤；
7)将完成H+注入的样品放入BOE溶液中腐蚀5分钟，去除表面的SiO2掩膜；
8)将去除SiO2掩膜的样品进行光刻后，放入电子束蒸发台中蒸发Pt/Ti//Au并进行剥离，形成金属阳极电极，金属Pt的厚度为10-20nm，金属Ti的厚度为20-50nm，金属Au的厚度为100-200nm；
9)将完成阳极电极制备的样品放入PECVD反应室淀积厚度为200nm-300nm的SiN钝化膜；
10)将完成淀积钝化膜的器件进行清洗、光刻显影后，放入ICP干法刻蚀反应室中，将阴极电极和阳极电极面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉，形成二极管；
11)将二极管进行清洗、光刻、显影，放入电子束蒸发台中淀积金属Ti/Au，对阴极和阳极的电极加厚，其中Ti厚度为20nm，Au厚度为100nm，至此完成整体器件的制备。
6.根据权利要求5所述的方法，其中步骤1)中有机清洗的工艺条件是：丙酮超声5分钟，乙醇超声5分钟，再用流动的去离子水清洗。
7.根据权利要求5所述的方法，其中步骤2)和步骤9)中在PECVD设备中淀积SiO2掩膜和SiN钝化膜的工艺条件是：SiH4流量为40sccm，N2O流量为10sccm，反应室压力为1～2Pa，射频功率为40W。
8.根据权利要求5所述的方法，其中步骤3)中的两次硅离子注入，其第一次的注入能量和注入剂量为：60keV和3.2×1014cm-2；第二次的注入能量和注入剂量为30keV和9.3×1013cm-2。
9.根据权利要求5所述的方法，其中步骤4)中在等离子体反应室中去除光刻胶掩膜所采用的工艺条件是：氧气流量为200sccm，反应室压力为30～40Pa，射频功率为300W，刻蚀时间为10分钟。
10.根据权利要求5所述的方法，其中步骤10)中在ICP干法刻蚀反应室中刻蚀SiN薄膜的工艺条件是：上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，CF4的流量为20sccm，Ar气的流量为10sccm，刻蚀时间为10min。