技术总结
本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法，其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8)，钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2)，环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点，环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7)，Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6)，且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘，最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用，减小了肖特基接触边缘的电子浓度，提高了肖特基二极管的反向击穿电压。
技术研发人员：冯倩;黄璐;韩根全;李翔;邢翔宇;方立伟;张进成;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201710050343
技术研发日：2017.01.23
技术公布日：2017.06.20