高击穿电压肖特基二极管及制作方法与流程

文档序号:12725394阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法,其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8),钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2),环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点,环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7),Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6),且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘,最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用,减小了肖特基接触边缘的电子浓度,提高了肖特基二极管的反向击穿电压。

技术研发人员:冯倩;黄璐;韩根全;李翔;邢翔宇;方立伟;张进成;郝跃
受保护的技术使用者:西安电子科技大学
文档号码:201710050343
技术研发日:2017.01.23
技术公布日:2017.06.20

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