技术特征：
技术总结
本发明构思提供一种存储器件、包括该存储器件的电子设备以及制造该存储器件的方法，在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
技术研发人员：沈揆理;高宽协;姜大焕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.01.25
技术公布日：2017.08.08